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1. (WO2006116506) PROCEDES ET APPAREIL DE REGLAGE DE PARAMETRES D'IMPLANTATION D'IONS POUR COMMANDE DE PROCESSUS AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/116506 N° de la demande internationale : PCT/US2006/015824
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
Inventeurs : ANTHONY, Renau; US
RODIER, Dennis; US
OLSON, Joseph, C.; US
ADAMS, Bret, W.; US
Mandataire : HWANG, David, H.; Varian Semiconductor Equipment Associates 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Données relatives à la priorité :
11/114,59326.04.2005US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR ADJUSTING ION IMPLANT PARAMETERS FOR IMPROVED PROCESS CONTROL
(FR) PROCEDES ET APPAREIL DE REGLAGE DE PARAMETRES D'IMPLANTATION D'IONS POUR COMMANDE DE PROCESSUS AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN) A method for processing a substrate, such as a semiconductor wafer, includes performing a measurement to determine a substrate parameter distribution to be compensated, determining an adjusted implant parameter distribution to compensate for the substrate parameter distribution, and implanting the substrate in accordance with the adjusted implant parameter distribution. The substrate parameter distribution to be compensated may result from another process step and may be uniform or non-uniform. In another embodiment, an implant parameter may be varied as a function of implant position on the substrate to achieve different substrate parameter values in different areas of the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat, tel qu'une tranche de semiconducteur, qui consiste à effectuer une mesure pour déterminer la répartition des paramètres de substrat à compenser, à déterminer la répartition des paramètres d'implantation ajustés pour compenser la répartition des paramètres du substrat, et à implanter le substrat en fonction de la répartition des paramètres d'implantation ajustés. La répartition des paramètres du substrat à compenser peut résulter d'une autre étape du processus et peut être homogène ou non homogène. Dans un autre mode de réalisation, un paramètre d'implantation peut être modifié en fonction de la position d'implantation sur le substrat afin d'atteindre différentes valeurs du substrat dans différentes zones du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)