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1. (WO2006116459) DOPAGE PAR PLASMA INCLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116459    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/015736
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (US Seulement).
BUFF, James, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
DORAI, Rajesh [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SINGH, Vikram; (US).
BUFF, James, S.; (US).
DORAI, Rajesh; (US)
Mandataire : HWANG, David, H.; Varian Semiconductor Equipment Associates, 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
10/908,009 25.04.2005 US
Titre (EN) TILTED PLASMA DOPING
(FR) DOPAGE PAR PLASMA INCLINE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma doping apparatus (100) includes a chamber (104) and a plasma source (162) that generates ions in the chamber from a dopant gas. A grating (154) is positioned in the chamber. A platen (148) for supporting a target (150) is positioned in the chamber. At least one of the grating and the target are oriented so that dopant ions extracted from the grating impact the target at a non- normal angle of incidence.
(FR)L'invention concerne un appareil de dopage par plasma comprenant une chambre et une source de plasma qui produit des ions dans la chambre à partir d'un gaz dopant. Une grille est positionnée dans la chambre. Une platine destinée à supporter une cible est positionnée dans la chambre. La grille ou la cible sont orientées de manière à ce que les ions dopants extraits de la grille touchent la cible dans un angle d'incidence anormal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)