WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006116337) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS DOPES ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116337    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/015518
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 31/06 (2006.01)
Déposants : BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ARKANSAS [US/US]; 2404 North University Avenue, Litte Rock, AR 72207 (US) (Tous Sauf US).
PRADHAN, Narayan [IN/US]; (US) (US Seulement).
PENG, Xiaogang [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PRADHAN, Narayan; (US).
PENG, Xiaogang; (US)
Mandataire : XIA, Tim, Tingkang; MORRIS, MANNING & MARTIN, 1600 ATLANTA FINANCIAL CENTER, 3343 Peachtree Road, N.e., Atlanta, Georgia 30326-1044 (US)
Données relatives à la priorité :
60/674,985 25.04.2005 US
Titre (EN) DOPED SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS DOPES ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)A method of synthesizing doped semiconductor nanocrystals. In one embodiment, the method includes the steps of combining a metal oxide or metal salt precursor, a ligand, and a solvent to form a metal complex in a reaction vessel; admixing an anionic precursor with the metal complex at a first temperature, T1, sufficient to form a plurality of host nanocrystals; doping a metal dopant onto the plurality of the host nanocrystals at a second temperature, T2, such that a layer of the metal dopant is formed substantially over the surface of a host nanocrystal that receives a metal dopant; and adding a mixture having the anionic precursor and the metal oxide or metal salt precursor at a third temperature, T3, into the reaction vessel to allow regrowth of host nanocrystals on the surface of the layer of the metal dopant formed substantially over the surface of a host nanocrystal that receives a metal dopant to form a plurality of doped nanocrystals, wherein the doped nanocrystals show a characteristic of semiconductor.
(FR)L'invention concerne un procédé de synthèse de nanocristaux semiconducteurs dopés. Dans un mode de réalisation, ce procédé consiste: à associer un oxyde métallique ou un précurseur de sel métallique, un ligand et un solvant pour former un complexe métallique dans une cuve de réaction; à mélanger un précurseur anionique avec ce complexe métallique à une première température T1, suffisante pour former une pluralité de nanocristaux hôtes; à doper un dopant métallique sur la pluralité de nanocristaux hôtes à une deuxième température T2, de sorte qu'une couche du dopant métallique soit formée sensiblement par-dessus la surface d'un nanocristal hôte qui reçoit un dopant métallique; et à ajouter un mélange contenant le précurseur anionique et l'oxyde métallique ou le précurseur de sel métallique à une troisième température T3 dans la cuve de réaction pour permettre une nouvelle croissance de nanocristaux hôtes sur la surface de la couche de dopant métallique formée sensiblement par-dessus la surface d'un nanocristal hôte qui reçoit un dopant métallique pour former une pluralité de nanocristaux dopés, ces nanocristaux dopés présentant une caractéristique de semiconducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)