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1. (WO2006116219) DISPOSITIF A SUPERJONCTION PRESENTANT DES TRANCHEES REVETUES PAR DES OXYDES ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116219    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/015310
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 21.04.2006
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01)
Déposants : ICEMOS TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; P.O. Box 24619, Tempe, Arizona 85285 (US) (Tous Sauf US).
ANDERSON, Samuel [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ANDERSON, Samuel; (US)
Mandataire : SIMMONS, John D.; AKIN GUMP STRAUSS HAUER & FELD LLP, ONE COMMERCE SQUARE, SUITE 2200, 2005 Market Street, Philadelphia, Pennsylvania 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/673,935 22.04.2005 US
Titre (EN) SUPERJUNCTION DEVICE HAVING OXIDE LINED TRENCHES AND METHOD FOR MANUFACTURING A SUPERJUNCTION DEVICE HAVING OXIDE LINED TRENCHES
(FR) DISPOSITIF A SUPERJONCTION PRESENTANT DES TRANCHEES REVETUES PAR DES OXYDES ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device includes providing semiconductor substrate having trenches and mesas. At least one mesa has first and second sidewalls. The method includes doping with a dopant of a second conductivity the first sidewall of the mesa, and doping with a dopant of a second conductivity the second sidewall of the mesa. A dopant of the first conductivity is then used to dope the first sidewall of the mesa, and the dopant of the first conductivity is used to dope the second sidewall of the at least one mesa. At least the trenches adjacent to the at least one mesa are then lined with an oxide material and are then filled with one of a semi-insulating material and an insulating material.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs qui consiste à utiliser un substrat semi-conducteur comprenant des tranchées et des mesas. Au moins une mesa présente une première et une deuxième paroi latérale. Le procédé consiste à doper à l'aide d'un dopant d'un deuxième type de conductivité la première paroi latérale de la mesa, et à doper à l'aide d'un dopant d'un deuxième type de conductivité la deuxième paroi latérale de la mesa. Un dopant d'un premier type de conductivité est ensuite utilisé pour doper la première paroi latérale de la mesa, et le dopant d'un premier type de conductivité est utilisé pour doper la deuxième paroi latérale de la ou des mesas. Au moins les tranchées adjacentes à la ou aux mesas sont ensuite revêtues par un matériau d'oxyde et sont ensuite remplies par un matériau semi-isolant ou par un matériau isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)