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1. (WO2006116098) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT DES REGIONS DE SOURCE/DRAIN ET DE CANAL A ORIENTATION CRISTALLINE MIXTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116098    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/015107
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 21.04.2006
CIB :
H01L 29/04 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
DESOUZA, Joel P. [BR/US]; (US) (US Seulement).
SADANA, Devendra K. [US/US]; (US) (US Seulement).
SAENGER, Katherine L. [US/US]; (US) (US Seulement).
SUNG, Chun-yung [--/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Min [CN/US]; (US) (US Seulement).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DESOUZA, Joel P.; (US).
SADANA, Devendra K.; (US).
SAENGER, Katherine L.; (US).
SUNG, Chun-yung; (US).
YANG, Min; (US).
YIN, Haizhou; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
11/116,053 27.04.2005 US
Titre (EN) MIXED -CRYSTAL-ORIENTATION CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT DES REGIONS DE SOURCE/DRAIN ET DE CANAL A ORIENTATION CRISTALLINE MIXTE
Abrégé : front page image
(EN)In the claimed mixed-crystal-orientation channel FET, source/drain regions above the bonded interface 360 have the orientation of the upper semiconductor 350 and source/drain regions below the bonded interface 360 have the orientation of the lower semiconductor 370, so that each part of the source/drain has the same crystal orientation as the semiconductor material laterally adjacent to it. Optional source/drain extensions 392 are disposed entirely in the upper semiconductor layer 350. Optionally, the bonded interface 360 is situated towards the bottom of source/drain regions 380, leaving source/drains 380 mostly in upper semiconductor layer 350.
(FR)Des substrats à orientation hybride permettent de fabriquer des circuits à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS) dans lesquels les transistors à effet de champ de type n (nFET) sont disposés dans un semi-conducteur selon une orientation optimale pour la mobilité des électrons et les transistors à effet de champ de type p (pFET) sont disposés dans un semi-conducteur selon une orientation optimale pour la mobilité des trous. Selon l'invention, les avantages de performance de FET formés entièrement avec l'orientation optimale dans le semi-conducteur peuvent être obtenus si le canal du dispositif est simplement disposé dans un semi-conducteur avec l'orientation optimale. Diverses nouvelles structures FET sont décrites, ces structures présentant toutes la caractéristique suivante : au moins une partie du canal du FET présente une orientation différente de celle d'au moins une partie de la source et/ou du drain du FET. Des substrats hybrides dans lesquels ces nouveaux FET peuvent être incorporés et des procédés de fabrication de ceux-ci sont présentés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)