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1. (WO2006115714) MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS POUR DES TRANSISTORS À COUCHE FINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/115714    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/012520
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 05.04.2006
CIB :
H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street, Rochester, New York 14650-2201 (US) (Tous Sauf US).
SHUKLA, Deepak [IN/US]; (US) (US Seulement).
NELSON, Shelby Forrester [US/US]; (US) (US Seulement).
FREEMAN, Diane Carol [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHUKLA, Deepak; (US).
NELSON, Shelby Forrester; (US).
FREEMAN, Diane Carol; (US)
Représentant
commun :
EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street, Rochester, New York 14650-2201 (US)
Données relatives à la priorité :
11/110,076 20.04.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS POUR DES TRANSISTORS À COUCHE FINE
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, a substituted or unsubstituted arylalkyl moiety. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100°C.
(FR)Le transistor à couche fine selon l'invention comprend une couche de matériau semi-conducteur organique comprenant un composé à base de diimide naphtalène tétracarboxylique comportant, attaché à chaque atome d'azote de l’imide, un groupe caractéristique arylalkyle non substitué. De tels transistors peuvent comprendre en outre des premiers et seconds moyens de contact espacés les uns des autres ou des électrodes en contact avec ledit matériau. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un tel dispositif de transistor à couche fine, de préférence par déposition par sublimation sur un substrat, la température du substrat ne dépassant pas 100° C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)