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1. (WO2006115588) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE REGULATION DE CONTRAINTE LOCALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/115588 N° de la demande internationale : PCT/US2006/008255
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 08.03.2006
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : ORLOWSKI, Marius, K.[US/US]; US (UsOnly)
ADAMS, Vance, H.[US/US]; US (UsOnly)
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.[US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
Inventeurs : ORLOWSKI, Marius, K.; US
ADAMS, Vance, H.; US
Mandataire : KING, Robert, L. ; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02 Austin, TX 78727, US
Données relatives à la priorité :
11/111,45021.04.2005US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR REGIONAL STRESS CONTROL
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE REGULATION DE CONTRAINTE LOCALE
Abrégé : front page image
(EN) Mechanical stress control may be achieved using materials having selected elastic moduli. These materials may be selectively formed by implantation, may be provided as a plurality of buried layers interposed between the substrate and the active area, and may be formed by replacing selected portions of one or more buried layers. Any one or more of these methods may be used in combination. Mechanical stress control may be useful in the channel region of a semiconductor device to maximize its performance. In addition, these same techniques and structures may be used for other purposes besides mechanical stress control.
(FR) L'invention permet de réguler la contrainte locale au moyen de matériaux possédant des modules d'élasticité choisis. Lesdits matériaux peuvent être formés par implantation, peuvent se présenter sous la forme d'une pluralité de couches enfouies intercalées entre le substrat et la zone active, et peuvent être formés par remplacement de parties choisies d'une ou plusieurs couches enfouies. On peut utiliser n'importe lequel des procédés précités ou une quelconque combinaison de ces derniers. Il peut être utile de réguler la contrainte mécanique dans la région canal d'un dispositif semiconducteur afin de maximiser la performance de ce dernier. En outre, les mêmes techniques et structures peuvent être utilisées à d'autres fins que la régulation de contrainte mécanique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)