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1. (WO2006115453) CROISSANCE COMMANDEE D’UNE NANOSTRUCTURE SUR UN SUBSTRAT, ET DISPOSITIFS D’EMISSION D’ELECTRONS BASES SUR CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/115453    N° de la demande internationale :    PCT/SE2006/000487
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2007    
CIB :
D01F 9/127 (2006.01), D01F 9/08 (2006.01), H01J 37/30 (2006.01), H01J 1/304 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SMOLTEK AB [SE/SE]; Stena Center 1D, S-412 92 Göteborg (SE) (Tous Sauf US).
KABIR, Mohammad, Shafiqul [BD/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : KABIR, Mohammad, Shafiqul; (SE)
Représentant
commun :
EHRNER & DELMAR PATENTBYRÅ AB; Box 103 16, S-100 55 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0500926-1 25.04.2005 SE
0501888-2 26.08.2005 SE
60/772,449 10.02.2006 US
Titre (EN) CONTROLLED GROWTH OF A NANOSTRUCTURE ON A SUBSTRATE, AND ELECTRON EMISSION DEVICES BASED ON THE SAME
(FR) CROISSANCE COMMANDEE D’UNE NANOSTRUCTURE SUR UN SUBSTRAT, ET DISPOSITIFS D’EMISSION D’ELECTRONS BASES SUR CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for nanostructures grown on a metal underlayer, and a method of making the same. The grown nanostructures based on the claimed method are suitable for manufacturing electronic devices such as an electron beam writer, and a field emission display.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour des nanostructures formées sur une sous-couche métallique, et un procédé pour les fabriquer. Les nanostructures formées basées sur le procédé revendiqué sont adéquates pour fabriquer des dispositifs électroniques tel qu’un scripteur par faisceau d’électrons, et un affichage à émission de champ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)