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1. (WO2006115393) COMPOSITION ABRASIVE A AUTO-ARRET DESTINEE A POLIR DES COUCHES D'OXYDE A DIFFERENCE D'EPAISSEUR ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/115393    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/001619
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2006
CIB :
C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : TECHNO SEMICHEM CO., LTD. [KR/KR]; 6-4 Sunae-dong, Bundang-gu, Seongnam-city, Gyeonggi-do (KR) (Tous Sauf US).
AHN, Jung-Ryul [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Jong-Kwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Seok-Ju [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEONG, Eun-Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HAN, Deok-Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Hyu-Bum [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
BAEK, Kui-Jong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Tae-Kyeong [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : AHN, Jung-Ryul; (KR).
PARK, Jong-Kwan; (KR).
KIM, Seok-Ju; (KR).
JEONG, Eun-Il; (KR).
HAN, Deok-Su; (KR).
PARK, Hyu-Bum; (KR).
BAEK, Kui-Jong; (KR).
LEE, Tae-Kyeong; (KR)
Mandataire : KWON, Oh-Sig; 4F, Jooeun Leaderstel, 921 Dunsan-dong, Seo-gu, Daejeon 302-120 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0035316 28.04.2005 KR
10-2006-0012370 09.02.2006 KR
Titre (EN) AUTO-STOPPING ABRASIVE COMPOSITION FOR POLISHING HIGH STEP HEIGHT OXIDE LAYER
(FR) COMPOSITION ABRASIVE A AUTO-ARRET DESTINEE A POLIR DES COUCHES D'OXYDE A DIFFERENCE D'EPAISSEUR ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a chemical - mechanical polishing composition which is employed in a process for chemical -mechanical polishing of silicon oxide layer having severe unevenness with large step-height in manufacturing technology of semiconductor device and a process for chemical -mechanical polishing using the same, which has auto- stopping function that the rate of polishing is much lowered after planarization by removing step-height, being characterized in that it comprises i) abrasive particles of metal oxide; and ii) at least one compound (s) selected from the group consisting of amino alcohols, hydroxycarboxylic acid having at least 3 of the total number of carboxylic acid group (s) and hydroxyl group (s) or their salts, or a mixture thereof . In the composition of the invention, a polymeric organic acid, a preservative, a lubricant and a surfactant may be further contained. The auto- stopping polishing composition according to the present invention provides effects of shortening the vapor -deposit ion time of a layer to be polished, saving the raw material to be vapor- deposited, shortening the chemical -mechanical polishing time, and saving the slurry employed. Thus, according to the present invention, the material cost is reduced and the process time is shortened, and increase of the process margin through the auto- stopping function of the polishing rate advantageously results in enhanced productivity.
(FR)La présente invention concerne une composition de polissage mécanico-chimique utilisée dans un processus de polissage mécanico-chimique de couche d'oxyde de silicium possédant une rugosité élevée avec de grandes différences d'épaisseur dans une technologie de fabrication de dispositif semi-conducteur et un processus de polissage mécanico-chimique utilisant cette composition, qui possède une fonction d'auto-arrêt par laquelle la vitesse de polissage est considérablement réduite après la planarisation par suppression des différences de hauteur. Cette composition se caractérise en ce qu'elle comprend: (i) des particules abrasives d'oxyde métallique et, (ii) au moins un composé sélectionné dans le groupe constitué de amino alcools, acide hydroxycarboxylique possédant au moins trois du nombre total de groupes acide carboxylique, de groupes hydroxyle ou leurs sels ou un mélange de ceux-ci. Dans la composition de cette invention, un acide organique polymère, un conservateur, un lubrifiant et un surfactant peuvent être inclus. Cette composition de polissage à auto-arrêt fournit des effets de réduction de temps d'ion de dépôt en phase vapeur d'une couche à polir, économisant la matière première à déposer en phase vapeur, réduisant le temps de polissage mécanico-chimique et économisant la solution épaisse utilisée. Selon cette invention, le coût des matières est réduit et le temps de traitement est raccourci, la marge de traitement augmente grâce à la fonction d'auto arrêt de la vitesse de polissage ce qui améliore la productivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)