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1. (WO2006115275) MRAM ET PROCEDE POUR ECRIRE DANS UNE MRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/115275    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308772
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.02.2007    
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : Kyoto University [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6068501 (JP) (Tous Sauf US).
Osaka University [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (Tous Sauf US).
ONO, Teruo; (US Seulement).
YAMAGUCHI, Akinobu; (US Seulement).
NASU, Saburo; (US Seulement)
Inventeurs : ONO, Teruo; .
YAMAGUCHI, Akinobu; .
NASU, Saburo;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-128505 26.04.2005 JP
Titre (EN) MRAM AND METHOD FOR WRITING IN MRAM
(FR) MRAM ET PROCEDE POUR ECRIRE DANS UNE MRAM
(JA) MRAMおよびその書き込み方法
Abrégé : front page image
(EN)An MRAM (10) includes a plurality of write word lines (2), a plurality of bit lines (1) intersecting the write word lines (2), and TMR elements (5) arranged at the respective intersections between the write word lines (2) and the bit lines (1). Each of the TMR elements (5) is formed by a first ferromagnetic layer whose magnetization (M1) direction is variable, a second ferromagnetic layer whose magnetization (M2) direction is fixed, and a tunnel wall (7) sandwiched by the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The bit line (1) is formed in such a way that a magnetic domain wall can be introduced to a desired position. For example, the bit line (1) is arranged with a protrusion in the direction along which the bit line (1) extends in the position of intersection with the write word line (2). Furthermore, when the data is written, the current flowing in the bit line (1) flows into the first ferromagnetic layer. This enables provision of a large-capacity MRAM of giga bit class.
(FR)MRAM (10) comprenant une pluralité de lignes de mots d’écriture (2), une pluralité de lignes de bits (1) croisant les lignes de mots d’écriture (2) et des éléments TMR (5) agencés au niveau des intersections respectives entre les lignes de mots d’écriture (2) et les lignes de bits (1). Chacun des éléments TMR (5) est formé par une première couche ferromagnétique dont la direction de magnétisation (M1) est variable, une seconde couche ferromagnétique dont la direction de magnétisation (M2) est fixe et une paroi de tunnel (7) prise en sandwich entre la première couche ferromagnétique et la seconde couche ferromagnétique. La ligne de bits (1) est formée de telle façon qu’une paroi de domaine magnétique peut être introduite à une position souhaitée. Par exemple, la ligne de bits (1) est agencée avec un avancement dans la direction le long de laquelle la ligne de bits (1) s’étend dans la position d’intersection avec la ligne de mots d’écriture (2). En outre, lorsque les données sont écrites, le courant circulant dans la ligne de bits (1) circule dans la première couche ferromagnétique. Ceci permet la fourniture d’une MRAM à grande capacité de classe gigabits.
(JA) 本発明のMRAMは、複数の書き込みワード線(2)と、書き込みワード線(2)と交差して設けられた複数のビット線(1)とを有するとともに、書き込みワード線(2)とビット線(1)との各交点にTMR素子(5)を有するMRAM(10)であって、TMR素子(5)は、磁化(M1)の方向が可変である第1強磁性層と、磁化(M2)の方向が固定された第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層とに挟持されたトンネル障壁(7)とから成っており、ビット線(1)は、所望の位置に磁壁が導入できるように、例えば、書き込みワード線(2)と交差する位置において書き込みワード線(2)が延びる方向に膨らんで設けられており、さらに、データが書き込まれるときに、ビット線(1)を流れる電流が、上記第1強磁性層に流れる。これにより、ギガビット級の大容量化を図ったMRAMを提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)