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1. (WO2006115249) AMPLIFICATEUR ÉLECTRONIQUE DE GAZ, PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE, ET DÉTECTEUR DE RADIATION UTILISANT L’AMPLIFICATEUR ÉLECTRONIQUE DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/115249    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308584
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 24.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2007    
CIB :
H01J 47/02 (2006.01), G01T 1/18 (2006.01), H01J 43/08 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
RIKEN [JP/JP]; 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
SCIENERGY CO., LTD. [JP/JP]; Sagamihara Incubation Center 2-305, 4-30, Nishihashimoto 5-chome, Sagamihara-shi, Kanagawa 2291131 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
HAMAGAKI, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMAGAWA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOTODA, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAMAGAKI, Hideki; (JP).
TAMAGAWA, Toru; (JP).
MOTODA, Ryoichi; (JP)
Mandataire : HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 6F., YKB Ensign Building 28-4, Yotsuya 4-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-126980 25.04.2005 JP
Titre (EN) GAS ELECTRON AMPLIFIER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RADIATION DETECTOR USING THE GAS ELECTRON AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR ÉLECTRONIQUE DE GAZ, PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE, ET DÉTECTEUR DE RADIATION UTILISANT L’AMPLIFICATEUR ÉLECTRONIQUE DE GAZ
(JA) ガス電子増幅器、その製造方法及びガス電子増幅器を使用した放射線検出器
Abrégé : front page image
(EN)A plate-shape multi-layer body (10) is arranged between a drift electrode (100) and a capture electrode (102). The plate-shaped multi-layer body (10) functions as a gas electron amplifier for performing electron amplification by the electron avalanche effect. The plate-shaped multi-layer body (10) is formed by a plate-shape insulation layer (12) and planar electrode layers (14, 16) coating the both sides of the plate-shape insulation layer (12). Moreover, the plate-shape multi-layer body (10) has a plurality of through hole structures (18) formed with walls vertical to the electrode layers (14, 16) for collecting an electric field. These components are contained in a chamber (104), which is filled with a predetermined detection gas. Electrons introduced into the chamber (104) are amplified by the through hole structures (18) and detected by the capture electrode (102). The detection signal is received by a detection unit (22). This realizes a gas electron amplifier capable of stably operating for a long period of time, a manufacturing method thereof, and a radiation detector using the gas electron amplifier.
(FR)L’invention concerne un corps multicouche en forme de plaque (10) disposé entre une électrode de dérive (100) et une électrode de capture (102). Le corps multicouche en forme de plaque (10) fait office d’amplificateur électronique de gaz permettant de réaliser une amplification électronique par un effet d’avalanche d’électrons. Le corps multicouche en forme de plaque (10) est constitué d’une couche isolante en forme de plaque (12) et de couches d’électrode planes (14, 16) revêtant les deux côtés de la couche isolante en forme de plaque (12). De plus, le corps multicouche en forme de plaque (10) possède une pluralité de structures à trou traversant (18) comportant des parois verticales par rapport aux couches d’électrode (14, 16) afin de recueillir un champ électrique. Ces composants sont contenus dans une chambre (104), que l’on a remplie d’un gaz de détection prédéterminé. Les électrons introduits dans la chambre (104) sont amplifiés par les structures à trou traversant (18) et détectés par l’électrode de capture (102). Le signal de détection est reçu par une unité de détection (22). On obtient alors un amplificateur électronique de gaz capable de fonctionner de manière stable sur une longue période, un procédé de fabrication idoine, et un détecteur de radiation utilisant l’amplificateur électronique de gaz.
(JA) ドリフト電極(100)と捕集電極(102)との間には、板状多層体(10)が配置されており、この板状多層体(10)は、電子なだれ効果により電子増幅を行うガス電子増幅器として機能し、板状絶縁層(12)とこの板状絶縁層(12)の両面に被覆された平面状の電極層(14)、(16)とで構成されている。また、板状多層体(10)には、電極層(14)、(16)の平面に垂直な壁を有し、電界を集束させるための貫通孔構造(18)が複数形成されている。また、これらの構成要素を収容するチャンバ(104)内には、所定の検出用ガスが充填されている。チャンバ(104)内に侵入した電子は、貫通孔構造(18)において増幅され、捕集電極(102)で検出されて検出信号を検出部(22)が受け取る。これにより、長時間動作を継続しても安定して動作するガス電子増幅器、その製造方法及びガス電子増幅器を使用した放射線検出器を実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)