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1. (WO2006114976) PROCEDE DE DOPAGE AU PLASMA ET EQUIPEMENT DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114976    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/306561
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 29.03.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.01.2007    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
OKUMURA, Tomohiro; (US Seulement).
SASAKI, Yuichiro; (US Seulement).
OKASHITA, Katsumi; (US Seulement).
MIZUNO, Bunji; (US Seulement).
ITO, Hiroyuki; (US Seulement).
NAKAYAMA, Ichiro; (US Seulement).
JIN, Cheng-Guo; (US Seulement)
Inventeurs : OKUMURA, Tomohiro; .
SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
MIZUNO, Bunji; .
ITO, Hiroyuki; .
NAKAYAMA, Ichiro; .
JIN, Cheng-Guo;
Mandataire : TAKAMATSU, Takeshi; Eikoh Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-099149 30.03.2005 JP
Titre (EN) PLASMA DOPING METHOD AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT
(FR) PROCEDE DE DOPAGE AU PLASMA ET EQUIPEMENT DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma doping method for providing excellent uniformity in concentration of impurities introduced to the surface of a sample, and plasma processing equipment performing plasma processing of a sample uniformly. In the plasma doping system, a vacuum container (1) is exhausted through an exhaust opening (11) by means of a turbo molecular pump (3) as an exhauster while introducing predetermined gas from a gas supply (2) and a predetermined pressure level is sustained in the vacuum container (1) by means of a pressure control valve (4). Inductively coupled plasma is then generated in the vacuum container (1) by supplying a coil (8) provided in the vicinity of a dielectric window (7) facing a sample electrode (6) with a high frequency power of 13.56 MHz from a high frequency power supply (5). A high frequency power supply (10) for supplying the sample electrode (6) with a high frequency power is provided. Uniformity can be enhanced in processing by driving a gate shutter (18) and covering a through gate (16).
(FR)L’invention concerne un procédé de dopage au plasma procurant une excellente uniformité dans la concentration des impuretés introduites à la surface d'un échantillon et un équipement de traitement au plasma réalisant uniformément le traitement de plasma d’un échantillon. Dans le système de dopage au plasma, un récipient sous vide (1) est évacué via une ouverture d’extraction (11) au moyen d’une pompe turbomoléculaire (3) en tant que ventilateur d’extraction, tout en introduisant un gaz prédéterminé à partir d’une alimentation en gaz (2) et on maintient un niveau de pression prédéterminé dans le récipient sous vide (1) à l’aide d’une soupape régulatrice de pression (4). On génère alors du plasma inductif dans le récipient sous vide (1) en procurant une bobine (8) dans le voisinage d’une fenêtre diélectrique (7) face à une électrode échantillon (6) avec une énergie haute fréquence de 13,56 MHz en provenance d’une alimentation électrique haute fréquence (5). L’invention concerne également une alimentation électrique haute fréquence (10) pour alimenter l’électrode échantillon (6) d’une énergie haute fréquence. L’uniformité peut être améliorée pendant le traitement en actionnant un obturateur de grille (18) et en recouvrant une grille traversante (16).
(JA) 本発明の課題は、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び試料のプラズマ処理を均一に行えるプラズマ処理装置を提供することである。  本発明のプラズマドーピング装置は、真空容器(1)内に、ガス供給装置(2)から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ(3)により排気口(11)を介して排気を行い、調圧弁(4)により真空容器(1)内を所定の圧力に保つ。そして、高周波電源(5)により13.56MHzの高周波電力を試料電極(6)に対向した誘電体窓(7)の近傍に設けられたコイル(8)に供給することにより、真空容器(1)内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極(6)に高周波電力を供給するための高周波電源(10)が設けられている。ゲートシャッター(18)を駆動して貫通ゲート(16)を覆うことにより、処理の均一性を高めることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)