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1. (WO2006114972) PHOTOÉLECTRODE EN SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE TELLE PHOTOÉLECTRODE EN SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE LUMINEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114972    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/306465
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 29.03.2006
CIB :
C25B 11/06 (2006.01), B01J 23/30 (2006.01), B01J 35/02 (2006.01), C25B 1/04 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01M 14/00 (2006.01)
Déposants : NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP) (Tous Sauf US).
OI, Takashi; (US Seulement).
IWASAKI, Yasukazu; (US Seulement).
SAYAMA, Kazuhiro; (US Seulement)
Inventeurs : OI, Takashi; .
IWASAKI, Yasukazu; .
SAYAMA, Kazuhiro;
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-123629 21.04.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRODE AND LIGHT ENERGY CONVERTING DEVICE
(FR) PHOTOÉLECTRODE EN SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE TELLE PHOTOÉLECTRODE EN SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE LUMINEUSE
(JA) 半導体光電極、その製造方法及び光エネルギ変換装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor photoelectrode is provided with a metal substrate having an uneven surface, and a semiconductor layer which is formed on a surface of the metal substrate and composed of a material having photocatalytic characteristics. Thus, light absorption efficiency is improved, and furthermore, charge recombination can be prevented.
(FR)La photoélectrode en semi-conducteur selon l’invention comporte un substrat métallique présentant une surface inégale et une couche de semi-conducteur déposée sur une surface du substrat métallique et composée d’un matériau présentant des caractéristiques photocatalytiques. Ainsi, l’efficacité d’absorption lumineuse est améliorée, et en outre, il est possible de prévenir les recombinaisons de charges.
(JA) 本発明の半導体光電極は、表面に凹凸を有する金属基板と、前記金属基板の表面に作成され、光触媒作用を有する材料から成る半導体層と、を有する。これにより光の吸収効率を高め、さらに電荷の再結合を防止することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)