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1. (WO2006114746) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114746    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/051248
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 21.04.2006
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
MELAI, Joost [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MADAKASIRA, Vijayaraghavan [IN/BE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : MELAI, Joost; (NL).
MADAKASIRA, Vijayaraghavan; (NL)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
05103490.8 28.04.2005 EP
Titre (EN) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a bipolar transistor with an improved performance because of a reduced collector series resistance and a reduced collector to substrate capacitance. The bipolar transistor includes a protrusion (5) which size may be reduced to a dimension that cannot be achieved with lithographic techniques. The protrusion (5) comprises a collector region (21) and a base region (22), in which the collector region (21) covers and electrically connects to a first portion of a first collector connecting region (3). A second collector connecting region (13) covers a second portion of the first collector connecting region (3) and is separated from the protrusion (5) by an insulation layer (10, 11), which covers the sidewalls of the protrusion (5). A contact to the base region (22) is provided by a base connecting region (15), which adjoins the protrusion (5) and which is separated from the second collector connecting region (13) by an insulation layer (14). A collector contact (31) and a base contact (32) are formed simultaneously on an exposed portion of the second collector connecting region (13) and on a portion of the base connecting region (15) that has not been removed.
(FR)La présente invention porte sur un transistor bipolaire dont les performances sont améliorées du fait d'une résistance en série de collecteur réduite et d'une capacitance collecteur-substrat réduite. Ce transistor bipolaire comprend une protubérance (5) dont la taille peut être réduite à une dimension qui ne peut pas être obtenue au moyen de techniques lithographiques. La protubérance (5) comprend une zone de collecteur (21) et une zone de base (22), laquelle zone de collecteur (21) recouvre et se connecte électriquement à une première partie d'une première zone de connexion de collecteur (3). Une deuxième zone de connexion de collecteur (13) recouvre une deuxième partie de la première zone de connexion de collecteur (3) et est séparée de la protubérance (5) par une couche d'isolation (10, 11) qui recouvre les parois latérales de la protubérance (5). Un contact avec la zone de base (22) est établi par une zone de connexion de base (15) qui est adjacente à la protubérance (5) et qui est séparée de la deuxième zone de connexion de collecteur (13) par une couche d'isolation (14). Un contact de collecteur (31) et un contact de base (32) sont formés simultanément sur une partie exposée de la deuxième zone de connexion de collecteur (13) et sur une partie de la zone de connexion de base (15) qui n'a pas été enlevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)