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1. (WO2006114376) PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF MOS COMPRENANT UN IMPLANT IONIQUE INTERCELLULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114376    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/061664
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 19.04.2006
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (Tous Sauf US).
CURRO', Giuseppe [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : CURRO', Giuseppe; (IT)
Mandataire : JORIO, Paolo; Studio Torta S.r.l., Via Viotti, 9, I-10121 Torino (IT)
Données relatives à la priorité :
05425260.6 27.04.2005 EP
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING A MOS DEVICE WITH INTERCELL ION IMPLANT
(FR) PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF MOS COMPRENANT UN IMPLANT IONIQUE INTERCELLULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)In a process for manufacturing a MOS device: forming a semiconductor layer (23) having a first type of conductivity; forming an insulated gate structure (27) having an electrode region (25), above the semiconductor layer (23); forming body regions (37) having a second type of conductivity, within the semiconductor layer (23), laterally and partially underneath the insulated gate structure (27); forming source regions (38) having the first type of conductivity, within the body regions (37); and forming a first enrichment region (42), in a surface portion of the semiconductor layer (23) underneath the insulated gate structure (27), the first enrichment region (42) having the first type of conductivity and being set at a distance from 10 the body regions (37). In order to form the first enrichment region (42), a first enrichment window (30) is defined within the insulated gate structure (27), and first dopant species of the first type of conductivity are introduced through the first enrichment window (30) and in a way self-aligned thereto.
(FR)Dans un processus de fabrication d'un dispositif MOS, on forme un couche semi-conductrice (23) présentant un premier type de conductivité; on forme une structure de grille isolée (27) comportant une région d'électrode (25) située au dessus de la couche semi-conductrice (23); on forme des régions de corps (37) d'un deuxième type de conductivité, dans la couche semi-conductrice (23) latéralement et partiellement sous la structure de grille isolée (27); on forme des régions de source (38) du premier type de conductivité, dans les régions de corps (37); et on forme une première région d'enrichissement (42) dans une partie de la surface de la couche semi-conductrice (23) sous la structure de grille isolée (27), la première région d'enrichissement (42) présentant le premier type de conductivité et étant prévue à une certaine distance (10) des régions de corps (37). Afin de former la première région d'enrichissement (42), une première fenêtre (30) d'enrichissement est définie dans la structure de grille isolée (27) et des premières espèces de dopant du premier type de conductivité sont introduites par la première fenêtre (30) d'enrichissement et autoalignées par rapport à cette dernière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)