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1. WO2006109622 - DISPOSITIF ELECTRIQUE, DISPOSITIF DE MEMOIRE ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2006/109622
Date de publication 19.10.2006
N° de la demande internationale PCT/JP2006/307114
Date du dépôt international 04.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.10.2006
CIB
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
G11C 13/0007
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0007comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
G11C 2213/32
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
30Resistive cell, memory material aspects
32Material having simple binary metal oxide structure
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
H01L 27/2436
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2436comprising multi-terminal selection components, e.g. transistors
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 三谷 覚 MITANI, Satoru (UsOnly)
  • 小佐野 浩一 OSANO, Koichi (UsOnly)
  • 村岡 俊作 MURAOKA, Shunsaku (UsOnly)
  • 名古 久美男 NAGO, Kumio (UsOnly)
Inventeurs
  • 三谷 覚 MITANI, Satoru
  • 小佐野 浩一 OSANO, Koichi
  • 村岡 俊作 MURAOKA, Shunsaku
  • 名古 久美男 NAGO, Kumio
Mandataires
  • 前田 弘 MAEDA, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2005-11409312.04.2005JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRICAL DEVICE, MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) DISPOSITIF ELECTRIQUE, DISPOSITIF DE MEMOIRE ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 電気素子,メモリ装置,および半導体集積回路
Abrégé
(EN)
Disclosed is an electrical device comprising a first terminal (1), a second terminal (3) and a resistance variable thin film (2). The resistance variable thin film (2) is connected between the first terminal (1) and the second terminal (3), and contains an Fe3O4 crystal phase and an Fe2O3 crystal phase.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif électrique comprenant une première borne (1), une seconde borne (3) et un film mince à résistance variable (2). Le film mince à résistance variable (2) relie la première borne (1) à la seconde borne (3) et contient une phase de cristal Fe3O4 et une phase de cristal Fe2O3.
(JA)
 電気素子は、第1の端子(1)と、第2の端子(3)と、可変抵抗薄膜(2)とを備える。可変抵抗薄膜(2)は、第1の端子(1)と第2の端子(3)との間に接続される。また、可変抵抗薄膜(2)は、Fe3O4結晶相とFe2O3結晶相とを含む。
Également publié en tant que
EP6731062
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