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1. WO2006109265 - DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2006/109265
Date de publication 19.10.2006
N° de la demande internationale PCT/IB2006/051137
Date du dépôt international 12.04.2006
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76264
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76264SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
H01L 29/0653
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0603characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
0642Isolation within the component, i.e. internal isolation
0649Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
0653adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
H01L 29/7824
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7801DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
7816Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
7824with a substrate comprising an insulating layer, e.g. SOI-LDMOS transistors
Déposants
  • NXP B.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • SONSKY, Jan [CZ]/[BE] (UsOnly)
Inventeurs
  • SONSKY, Jan
Mandataires
  • WHITE, Andrew
Données relatives à la priorité
05102977.514.04.2005EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(EN)
A semiconductor device is formed by forming a second trench 120 at the base of a first trench 18, depositing insulator 124 at the base of the second trench 120, and then etching cavities 26 laterally from the sidewalls of the second trench, but not the base which is protected by insulator 124. The invention may in particular be used to form semiconductor devices with cavities under the active components, or by filling the cavities to form silicon on insulator or silicon on conductor devices.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur obtenu par formation d'une seconde tranchée (120) au niveau de la base d'une première tranchée (18), dépôt d'un isolant (124) au niveau de la base de la seconde tranchée (120) et gravure de cavités (26) latérales à partir des parois latérales de la seconde tranchée, la base étant protégée par l'isolant (124). On peut utiliser cette invention, en particulier, pour former des dispositifs à semi-conducteur à cavités sous des composants actifs ou par remplissage desdites cavités afin de former des dispositifs silicium sur isolant ou silicium sur conducteur.
Également publié en tant que
EP6727907
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