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1. WO2006105452 - DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR A REDRESSEUR COMMANDE PAR SILICIUM

Numéro de publication WO/2006/105452
Date de publication 05.10.2006
N° de la demande internationale PCT/US2006/012097
Date du dépôt international 30.03.2006
CIB
H02H 9/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
HCIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
9Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
CPC
H01L 27/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0259using bipolar transistors as protective elements
0262including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
H01L 29/7436
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
7436Lateral thyristors
Déposants
  • SARNOFF EUROPE BVBA [BE]/[BE] (AllExceptUS)
  • SARNOFF CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • VAN CAMP, Benjamin [BE]/[BE] (UsOnly)
Inventeurs
  • VAN CAMP, Benjamin
Mandataires
  • GARG, Rohini, K.
Données relatives à la priorité
60/666,47630.03.2005US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON A SCR
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR A REDRESSEUR COMMANDE PAR SILICIUM
Abrégé
(EN)
The present invention provides a semiconductor structure device having a first and a second semiconductor devices with a silicon controlled rectifier (SCR) formed between the two devices with advantages to couple the devices to provide more design flexibility and enhanced triggering in order to improve the ESD performance of the device.
(FR)
L'invention concerne une structure de semiconducteur comprenant un premier et un second dispositif à semiconducteur, ainsi qu'un redresseur commandé au silicium ('silicon controlled rectifier' ou SCR) formé entre les deux dispositifs qui, outre l'avantage de coupler les deux dispositifs, offre une plus grande souplesse de conception et un déclenchement amélioré permettant d'augmenter la performance ESD du dispositif.
Également publié en tant que
EP6758252
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international