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1. WO2006105020 - COMPOSES DE DIHYDROXY ENOL UTILISES DANS DES COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE COMPORTANT DES AGENTS OXYDANTS D'IONS METALLIQUES

Numéro de publication WO/2006/105020
Date de publication 05.10.2006
N° de la demande internationale PCT/US2006/011113
Date du dépôt international 24.03.2006
CIB
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02074
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02074the processing being a planarization of conductive layers
H01L 21/3212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
H01L 21/32125
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
32125by simultaneously passing an electrical current, i.e. electrochemical mechanical polishing, e.g. ECMP
Déposants
  • DUPONT AIR PRODUCTS NANOMATERIALS LLC [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CASTILLO, Daniel H., II [US]/[US] (UsOnly)
  • ARAGAKI, Steven M. [US]/[JP] (UsOnly)
  • RICHARDS, Robin E. [US]/[US] (UsOnly)
  • SIDDIQUI, Junaid A. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CASTILLO, Daniel H., II
  • ARAGAKI, Steven M.
  • RICHARDS, Robin E.
  • SIDDIQUI, Junaid A.
Mandataires
  • HAYDEN, Christopher G.
Données relatives à la priorité
60/664,93025.03.2005US
60/674,67826.04.2005US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DIHYDROXY ENOL COMPOUNDS USED IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITIONS HAVING METAL ION OXIDIZERS
(FR) COMPOSES DE DIHYDROXY ENOL UTILISES DANS DES COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE COMPORTANT DES AGENTS OXYDANTS D'IONS METALLIQUES
Abrégé
(EN)
A chemical mechanical polishing composition contains 1) water, 2) optionally an abrasive material, 3) an oxidizer, preferably a per-type oxidizer, 4) a small amount of soluble metal-ion oxidizer/polishing accelerator, a metal-ion polishing accelerator bound to particles such as to abrasive particles, or both; and 5) at least one of the group selected from a) a small amount of a chelator, b) a small amount of a dihydroxy enolic compound, and c) a small amount of an organic accelerator. Ascorbic acid in an amount less than 800 ppm, preferably between about 100 ppm and 500 ppm, is the preferred dihydroxy enolic compound. The polishing compositions and processes are useful for substantially all metals and metallic compounds found in integrated circuits, but is particularly useful for tungsten. The present invention also pertains to surface-modified colloidal abrasive polishing compositions and associated methods of using these compositions, particularly for chemical mechanical planarization, wherein the slurry comprises low levels of chelating free radical quenchers, non-chelating free radical quenchers, or both.
(FR)
L'invention porte sur une composition de polissage chimiomécanique contenant: 1) de l'eau, 2) éventuellement un matériau abrasif, 3) un agent oxydant de type per, 4) une petite quantité d'agent oxydant soluble d'ions métalliques/accélérateur de polissage, un accélérateur de polissage d'ions métalliques lié à des particules telles que des particules abrasives, ou les deux, et 5) au moins un du groupe sélectionné parmi: a) une petite quantité d'un agent de chélation, b) une petite quantité d'un composé dihydroxy énolique et c) une petite quantité d'un accélérateur organique. L'acide ascorbique, dans une quantité inférieure à 800 ppm, de préférence comprise entre environ 100 ppm et 500 ppm, est le composé dihydroxy énolique préféré. Les compositions et les procédés de polissage sont utiles pour sensiblement tous les métaux et composés métalliques se trouvant dans des circuits intégrés, mais sont particulièrement utiles pour le tungstène. La présente invention porte également sur des compositions de polissage abrasives, colloïdales, modifiées en surface, ainsi que sur des procédés d'utilisation associés de ces compositions, notamment pour la planarisation chimiomécanique, et dans lesquelles la boue comprend de faible taux de désactivateurs de radicaux libres chélatants, de désactivateurs de radicaux libres non chélatants, ou les deux.
Également publié en tant que
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