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1. WO2006104937 - CONSTRUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT APPAUVRIS ET PARTIELLEMENT APPAUVRIS SUR UNE MEME PUCE

Numéro de publication WO/2006/104937
Date de publication 05.10.2006
N° de la demande internationale PCT/US2006/010931
Date du dépôt international 23.03.2006
CIB
H01L 21/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 27/01 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
01comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
CPC
H01L 21/84
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
84the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
H01L 27/1203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1203the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
Déposants
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US]/[US] (AllExceptUS)
  • TIGELAAR, Howard [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • TIGELAAR, Howard
Mandataires
  • FRANZ, Warren
Données relatives à la priorité
11/091,07828.03.2005US
11/091,24928.03.2005US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BUILDING FULLY-DEPLETED AND PARTIALLY-DEPLETED TRANSISTORS ON SAME CHIP
(FR) CONSTRUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT APPAUVRIS ET PARTIELLEMENT APPAUVRIS SUR UNE MEME PUCE
Abrégé
(EN)
A method is disclosed for forming a fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) transistors (150) and partially-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) transistors (152) on a semiconductor substrate (104) as part of a single integrated circuit fabrication process flowd. Semiconductor device structures fabricated according to the method are also disclosed.
(FR)
Cette invention concerne un procédé permettant de former des transistors silicium sur isolant totalement appauvris (FD-SOI) (150) et des transistors silicium sur isolant partiellement appauvris (PD-SOI) (152) sur un substrat semi-conducteur (104) dans le cadre d'un seul processus de fabrication de circuits intégrés. Cette invention concerne également des structures de dispositifs semi-conducteurs fabriquées selon le procédé de cette invention.
Également publié en tant que
EP6758196
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international