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1. WO2006104151 - BANDE ADHESIVE POUR DECOUPAGE EN DES DE TRANCHES ET PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES L’UTILISANT

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[ JA ]
明 細書

ウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法 技術分野

[0001] 本発明は、ウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法 に関する。

背景技術

[0002] 最近における半導体チップの薄膜化'小チップィ匕への進化はめざましぐ特に、メモ リカードやスマートカードの様な半導体 ICチップが内蔵された ICカードの場合、半導 体チップの厚さとしては 100 m以下が要求されるものであり、今後これらの需要が 増えるにつれ上記の薄膜化 ·小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる

[0003] これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等 において所定厚みに薄膜ィ匕した後、ダイシングテープ等により支持固定されダイシン グ工程にてチップィ匕され得られる。次いで、ダイシングテープの粘着剤層が放射線硬 化型である場合は紫外線や電子線などの放射線を照射した後にピックアップ工程に 移され、ピックアップ、ダイボンディング工程を経てリードフレーム等に搭載される事に なる。

[0004] 上記の一連の工程のうちダイシング工程は、ダイシングテープで半導体ウェハを支 持固定した状態でダイシングブレードにより切断するブレードカット方式が一般的な 方法であるが、この場合、一般的にはブレード回転数は数万 rpm程度に設定される ので、ブレードは相当の切削抵抗を受け、摩擦熱を持つ。場合によっては、ブレード 表面は 100°C前後まで温度が上昇する事もある。通常、ウェハをフルカットする際は テープの基材フィルムまでブレードによって切り込まれる事になるため、ブレードの熱 によって基材フィルムの一部が溶融し糸状のダイシング屑となってウェハ表面のパタ ーン上にかき出されるケースがある力これが例えば電極パッド上に付着してしまうと 後のワイヤボンディング不良に繋がる可能性がある。糸状のダイシング屑は、従来の ように厚いウェハの場合は発生してもチップ側面に留まる程度であったため、前記の 様なワイヤボンディング不良に繋がる恐れは無力つた力近年のウェハの薄膜ィ匕によ り、糸状のダイシング屑はウェハ表面にまで出現しやすくなり、前記の様な問題がより 深亥 ijになってきた。

[0005] これを解決する方法として、架橋された基材フィルムに粘着剤が塗布されたウェハ 加工用テープ (例えば、特許文献 1参照)ゃ基材フィルム上にエネルギー線で硬化さ れた粘弾性層を設け、ダイシングによるダイシング用粘着シートへの切り込みを粘弹 性層までとし基材フィルムは切り込まない方法が提案されている(例えば、特許文献 2 参照)。

[0006] し力しながら前者では、基材フィルムを高温状態のブレードで切り込むことになるた め、ウェハの厚みが 100 m以下の領域になると必ずしも十分とはいえない。それに 対し後者の方法では、ブレードは基材フィルムを切り込まないため、前記の様に、ブ レードの熱によってテープが溶融し糸状のダイシング屑が発生するような事はないが この場合の粘弾性層は最大 300 mと非常に厚ぐかつエネルギー線で硬化された 硬 、層となって、るため、ダイシング時にブレードがこの粘弾性層を切り込んでしまう と、その粘弾性層から細かい粉状の切り屑が発生してしまい、この粉状の切り屑がパ ターン面の電極パッド上に付着してしまうとワイヤボンディング不良に繋がる可能性が あると同時に、硬くて厚い粘弾性層を切り込む事によりブレードの磨耗も顕著となりブ レードライフの低下に繋がる可能性があるという問題があった。

[0007] 特許文献 1 :特開平 5— 211234号公報

特許文献 2:特開 2003 - 7646号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明は、ウェハ等の被切断物を加工する際に、該被切断物を支持固定する際に 用いられるウェハ加工用テープであって、基材フィルムを架橋するなどという特殊な 処理を施すことなくテープを製造でき、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐ ピックアップ性に優れたウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの 製造方法を提供するものである。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、粘着剤層が 2層以 上からなり、該粘着剤層はいずれも放射線重合性化合物を含有し、粘着剤層の最外 層を構成する榭脂組成物における放射線重合性化合物の含有量が、内側の粘着剤 層を構成する榭脂組成物におけるそれと異なるウェハダイシング用粘着テープにより 、ダイシング時の切削屑を低減でき、ピックアップ性が良好であることを見出したもの である。

[0010] 本発明によれば、以下の手段が提供される:

(1)基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウェハダイシング用粘着テープであって 、該粘着剤層は 2層以上からなり、いずれの粘着剤層を構成する榭脂組成物も放射 線重合性化合物を含有するとともに、粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物に おける放射線重合性化合物の含有量と、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物に おけるそれ力基材フィルムに印加した応力が放射線照射後の最外層に十分に伝わ り、該層とチップを剥離するに十分な程度に異なることを特徴とするウェハダイシング 用粘着テープ、

(2)前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物中における放射線重合性化合物 の含有量が、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物における放射線重合性化合物 の含有量より大き、ことを特徴とする(1)項記載のウェハダイシング用粘着テープ、

(3)前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質 量部に対して前記放射線重合性化合物 50〜200質量部を含有し、前記内側の粘 着剤層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質量部に対して前記放 射線重合性化合物 5〜: LOO質量部を含有することを特徴とする(1)または(2)記載の ウェハダイシング用粘着テープ、及び

(4) (1)〜(3)の、ずれか 1項記載のウェハダイシング用粘着テープで被切断物であ るウェハを支持固定する工程、ブレードの切り込みの最下部が前記ウェハダイシング 用粘着テープの前記最外層またはそれより内側の粘着剤層内部にくるようにウェハ をダイシングする工程、前記ウェハダイシング用粘着テープに放射線を照射し、切断 されたチップをピックアップする工程を有することを特徴とするチップの製造方法。 発明の効果

[0011] 本発明のウェハダイシング用粘着テープは、基材フィルムを架橋するなどという特 殊な処理を施すことなく製造でき、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐその テープを用いることによりチップを効率的に製造する方法を提供することができる。

[0012] 本発明の上記及び他の特徴及び利点は、添付の図面とともに考慮することにより、 下記の記載力より明らかになるであろう。

図面の簡単な説明

[0013] [図 1]図 1は、本発明のウェハダイシング用粘着テープの断面を示す断面図である。

[図 2]図 2は、半導体ウェハをブレードによりダイシングするプロセスを表す説明図で ある。

[図 3]図 3は、ダイシングプロセスにてブレードの切り込みの最下部が粘着剤層 2中に 在る状態を示す断面図である。

[図 4]図 4 (a)〜(c)は、本発明のダイシングテープを使用した半導体チップのピックァ ッププロセスを示す断面図であって、図 4 (a)はチップが切断された状態の断面図で あり、図 4 (b)は突き上げピンで突き上げられた断面図であり、図 4 (c)は吸着コレット によりピックアップする状態を示す断面図である。

[図 5]図 5 (a)〜 (c)は、基材フィルム上の粘着剤層が非放射線硬化型粘着剤層であ るダイシングテープを使用した場合のピックアッププロセスを示す断面図であって、図 5 (a)はチップが切断された状態の断面図であり、図 5 (b)は突き上げピンで突き上げ られた断面図であり、図 5 (c)は吸着コレットによりピックアップする状態を示す断面図 である。

符号の説明

[0014] 1 :粘着剤層の最外層

2 :内側の粘着剤層

3 :基材フィルム

4:ウェハダイシング用粘着テープ

5 :ウエノヽ

5 ':チップ

6 :スクライブライン

7 :ブレード

8 :リングフレーム

9 :固定用チャックテープノレ

10 :吸着ステージ

11 :突き上げピン

12 :吸着コレット

13:放射線重合性化合物を含有しな!ヽ内側の粘着剤層

14:内側の粘着剤層が放射線重合性化合物を含有しな!、榭脂組成物で構成された ウェハダイシング用粘着テープ

15:チップ端部の剥離のきっかけ

発明を実施するための最良の形態

[0015] 以下に本発明を詳細に説明する。

なお、本発明において、「粘着剤」とは、粘着後に硬化等の処理に付すことにより剥 離を可能にする剤を意味する。

本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、図 1の断面図で示すように、基材フィ ルム 3上に内側の粘着剤層 2、粘着剤層の最外層 1がこの順に形成されている。図 2 の斜視図による説明図で示すように、本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、 粘着剤層の最外層 1を介してドーナツ状の形状を有するリングフレーム 8に貼合され 、固定用チャックテーブル 9に粘着剤層の最外層 1が上側になるように、載置される。 その後、その粘着剤層の最外層 1に細断すべきウェハ 5は貼合され、ブレード 7でチ ップ 5'に細断される。

[0016] 本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、図 3の断面図に示すように、基材フィ ルム 3に達しないようにブレード 7でチップ 5'と共に細断されるのが好ましい。ダイシン グ時のブレードの切り込みの最下部が内側の粘着剤層 2を超え、基材フィルム 3に達 すると、ダイシング時に糸状の切削屑が発生する。ダイシング工程においては、ゥェ ノ、 5に設けられたスクライブライン 6に沿って細断される。

[0017] 本発明にお、ては、基材フィルム 3と反対側の粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂 組成物は、放射線重合性化合物を含有し、放射線照射により粘着力が低減される。

しかしながら、本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は図 3に示すようなダイシン グ工程までは放射線は照射されず、十分にウェハは保持される。したがってダイシン グ時には、硬化された粘着剤層から細かい粉状の切削屑が発生することはない。

[0018] 本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4を使用した場合には、図 4 (a)の断面図 に示すように切断されたチップ 5 'は、次いで、図 4 (b)の断面図に示すようにウェハ ダイシング用粘着テープ 4の基材フィルム 3の背面力も突き上げピン 11で突き上げら れ、その際の応力が十分にチップ 5 'に伝えられ、チップ 5 '端部におけるテープが変 形し、その変形によってチップ 5 'の端部の剥離のきっかけ 15が生じる。また内層の 粘着剤層 2にも放射線重合性ィ匕合物が含有されているので、ダイシング工程終了後 に、チップ端部の剥離のきっかけ 15が生じやすいように幅広く粘着力の制御を行うこ とができる。次いで、図 4 (c)の断面図に示すように切断されたチップ 5 'が吸着コレツ ト 12でピックアップされる。なお、図中 10は吸着ステージである。

[0019] それに対して図 5 (a)の断面図に示すような内側の粘着剤層 13が放射線重合性化 合物を含有しない榭脂組成物で構成されたウェハダイシング用粘着テープ 14の場 合には、次いで図 5 (b)の断面図に示すように突き上げピン 11で基材フィルム 3側か らチップ 5 'を突き上げても、突き上げピン 11による突き上げ応力が、放射線重合性 化合物を含有しない内側の粘着剤層 13の変形により吸収されてしまい、チップ 5 'に その応力が伝わらない結果、チップ 5 '端部の剥離のきっかけが生じず、ピックアップ 性に問題が生じ、図 5 (c)の断面図に示すように切断されたチップ 5 'が吸着コレット 1 2でピックアップされなヽ場合がある。

[0020] また従来のウェハダイシング用粘着テープでは、基材フィルムまで完全に切り込む ことが一般的である。その場合には、細断のために用いられる高速回転したブレード により基材フィルムが溶融し、糸状のいわゆるダイシング屑が発生する。ところが本発 明においては、基材フィルム上に粘着剤層が積層された構造となっており、ブレード は基材フィルムまで到達しな、ようにすることにより、ダイシング屑が発生しな!、ように することができる。

[0021] 本発明で用いる放射線重合性ィ匕合物は、特に制限されるわけではなく用途に応じ て適宜選択することができるが、本発明においてはアクリル系榭脂をベース榭脂とす

ることが好ましい。その例として、アクリル系共重合体ゃメタクリル系共重合体 (以下、 (メタ)アクリル系共重合体ということもある)を挙げることができる。その場合には、適 宜硬化剤を配合し、放射線照射前に架橋しているものを使用することができる。(メタ )アクリル系共重合体は、例えば (メタ)アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重 合体、及び (メタ)アクリル酸エステル系共重合体の (メタ)アクリル系重合体、あるいは 官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これら の重合体の分子量としては重量平均分子量が 50万〜 100万程度の高分子量のもの が一般的に適用される。

[0022] 硬化剤は、(メタ)アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝 集力を調整するために用いられる。例えば、 1, 3 ビス (N, N ジグリシジルアミノメ チル)シクロへキサン、 1, 3 ビス(N, N—ジグリシジルアミノメチル)トルエン、 1, 3 —ビス(N, N ジグリシジルアミノメチル)ベンゼン、 N, N, N, N' —テトラグリシジ ルー m—キシレンジァミンなどの分子中に 2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化 合物、 2, 4 トリレンジイソシァネート、 2, 6 トリレンジイソシァネート、 1, 3 キシリ レンジイソシァネート、 1, 4ーキシレンジイソシァネート、ジフエ二ノレメタン 4, 4' ジイソシァネートなどの分子中に 2個以上のイソシァネート基を有するイソシァネート 系化合物、テトラメチロール—トリ— β—アジリジ-ルプロピオネート、トリメチロール —トリ— j8—アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン—トリ— β—アジリジ -ルプロピオネート、トリメチロールプロパン—トリ— β - (2—メチルアジリジン)プロピ ォネートなどの分子中に 2個以上のアジリジ-ル基を有するアジリジン系化合物等が 挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力及び凝集力に応じて調整すればよく (メタ)アクリル系共重合体 100質量部に対して 0. 1〜5. 0質量部が適当である。

[0023] 放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重 合性炭素 炭素二重結合を少なくとも 2個以上有する低分量化合物が広く用いられ 、重量平均分子量(Mw)が 100から 30000の範囲にあるオリゴマーを用いるのが好 ましい。このような化合物としては、ウレタンアタリレート、エポキシアタリレート、ポリエ ステルアタリレート、ポリエーテルアタリレート、(メタ)アクリル酸オリゴマーおよびイタコ ン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴ

マーを挙げることができる。

[0024] その他具体的には、トリメチロールプロパントリアタリレート、テトラメチロールメタンテ トラアタリレート、ペンタエリスリトールトリアタリレート、ペンタエリスリトールテトラアタリレ ート、ジペンタエリスリトーノレモノヒドロキシペンタアタリレート、ジペンタエリスリトーノレ へキサアタリレート、 1, 4ーブチレングリコールジアタリレート、 1, 6へキサンジオール ジアタリレート、ポリエチレングリコールジアタリレートや、オリゴエステルアタリレート、 又、ウレタンアタリレート系オリゴマーとしては、ポリエステノレ型またはポリエーテノレ型 などのポリオール化合物と、多価イソシアナ一トイ匕合物(例えば、 2, 4 トリレンジイソ シアナート、 2, 6 トリレンジイソシアナート、 1, 3 キシリレンジイソシアナート、 1, 4 —キシリレンジイソシアナート、ジフエ-ルメタン 4, 4—ジイソシアナートなど)を反応さ せて得られる末端イソシアナ一トウレタンプレボリマーに、ヒドロキシル基を有するァク リレートあるいはメタタリレート(例えば、 2—ヒドロキシェチルアタリレート、 2—ヒドロキ シェチルメタタリレート、 2—ヒドロキシプロピルアタリレート、 2—ヒドロキシプロピルメタ タリレート、ポリエチレングリコールアタリレート、ポリエチレングリコールメタタリレートな ど)を反応させて得られるものが適用可能である。

[0025] この放射線重合性化合物は、側鎖に放射線重合性炭素炭素二重結合を一つ以 上有するアクリル系重合体を構成単位として含むものである。側鎖に放射線重合性 炭素 炭素二重結合を一つ以上有する放射線重合性化合物とは分子内に炭素 炭素二重結合を有しているポリマーであり、例えば、アクリル酸、メタクリル酸のアルキ ルエステルを主な構成単位とする単独重合体、もしくは、アクリル酸またはメタクリル 酸のアルキルエステルとこれに共重合が可能な他の不飽和モノマーとの共重合体に 炭素 炭素二重結合を一つ以上有する化合物を付加重合することによって得られる 。このポリマーは、好ましくは、重量平均分子量が 1万〜 100万であり、ガラス転移点 はアルキルエステルの配合比率を変更することで適宜調整可能である。

[0026] また上記の様なアタリレート系化合物のほかに、ウレタンアタリレート系オリゴマーを 用いる事も出来る。

[0027] 本発明におヽては、粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物における放射線重 合性化合物の含有量が、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物におけるそれと異

なるものである。このような構成とすることにより、粘着剤層の最外層と内側の粘着剤 層の放射線照射後の粘着力に差をつけることができ、基材フィルムに印加した応力 が放射線照射後の最外層に十分に伝わるので該層とチップを容易に剥離することが できる。好ましくは、最外層の粘着剤層の組成物中における放射線重合性化合物の 含有量が、内側の粘着剤層の組成物中における放射線重合性化合物の含有量より 大きくされる。このような構成とすることにより、放射線照射後にピックアップする場合 に、チップに接触する最外層の粘着剤層の粘着力は十分に低減され、容易に剥離 できる一方で、特にエキスパンドしてピックアップする場合には、内側の粘着剤層が 柔軟性を有し、粘着剤層同士が剥離することなくピックアップすることができる。

[0028] さらに本発明においては、粘着剤層の最外層 1の組成物中における放射線重合性 化合物の割合が、内側の粘着剤層 2の組成物中における放射線重合性ィ匕合物の割 合より大きくした上で、粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂組成物はアクリル系べ一 ス榭脂 100質量部に対して前記放射線重合性化合物 50〜200質量部を含有し、前 記粘着剤層の最外層 1より内側に位置する内側の粘着剤層 2を構成する榭脂組成物 はアクリル系ベース榭脂 100質量部に対して前記放射線重合性ィ匕合物 5〜: LOO質 量部とすることが好ましい。粘着剤層 1の放射線重合性化合物の含有量が低ぐ且つ 、粘着剤層 2の放射線重合性化合物の含有量が多ぐ粘着剤層最外層を構成する 榭脂組成物中の放射線重合性化合物の含有量が、粘着剤層内層を構成する榭脂 組成物中の放射線重合性化合物の含有量よりも小さくなると、粘着剤層最外層の粘 着力低減が十分でなぐまた粘着剤層内層が若干硬くなるためピックアップ性が非常 に悪く、実用レベルにあるとはいえず、ウェハ拡径も十分なレベルとはならない。

[0029] 粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂組成物中の放射線重合性化合物の含有量は 、 50質量部未満になると粘着力の低減が不十分でチップサイズが 10mm X 10mm を超えるような比較的大チップの場合に対応出来なくなる場合があり、多すぎてもそ れ以上は粘着力は低減せずかえってコストアップにつながってしまうため好ましくな い。

[0030] また粘着剤層の最外層 1の内側に位置する内側の粘着剤層 2を構成する榭脂組成 物中の放射線重合性化合物の含有量は、 5質量部未満になると柔らかすぎてピック アップ性の悪ィ匕に繋がったり、チップ裏面の汚染を誘発する原因となる場合がある。

10質量部以上とするのが好ましぐ 15質量部以上とするのがさらに好ましい。また 10 0質量部を超えると硬くなつてしまいピックアップ性'エキスパンド性の悪ィ匕に繋がる場 合がある。粘着剤層の最外層 1と内側の粘着剤層 2の厚み比率については前述のブ レード切り込み深さとの関係や組成構成によっても異なってくる力基本的には粘着 剤層の最外層 1はチップの剥離性のみを考慮すればよぐ全体的な硬さを左右する のは内側の粘着剤層 2であるので、内側の粘着剤層 2の厚み >粘着剤層の最外層 1 の厚みとなることが望ましい。それぞれの粘着剤層の厚みとしては、内側の粘着剤層 2が 5〜70 μ mとするのが好ましぐさらに好ましくは 5〜20 μ mである。また粘着剤 層の最外層 1は 10〜80 μ mとするのが好ましぐさらに好ましくは 15〜50 μ mである 。ただし、内側の粘着剤層 2が硬化された後に、粘着剤層の最外層 1が設けられた粘 着剤層は、本発明における 2層以上の粘着剤層には含まれなヽ。

[0031] またこれらの調整により得られた粘着剤層を例えば紫外線等の照射によって重合、 硬化させる場合には、通常光重合開始剤が用いられる。具体的には、イソプロピルべ ンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーズケトン、 クロ口チォキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジェチルチ ォキサントン、ベンジルジメチルケタール、 α—ヒドロキシシクロへキシルフェニルケト ン、 2—ヒドロキシメチルフエ-ルプロパン等が適用可能である。

[0032] 本発明におけるウェハ用ダイシング用粘着テープ 4の基材フィルム 3は、粘着剤層 を構成する榭脂組成物の放射線照射が妨げられないものであれば特に制限はない 。例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンのほ力、エチレン酢酸ビュル共重合体や エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等の各種エチレン系共重合体、さらに は各種エラストマ一、ポリエステル、ナイロン系等のものが種々適用出来る。また基材 フィルム 3の厚みも制限は無いが、一般的には作業性等の点から 30〜500 m厚程 度のものが適用される。

実施例

[0033] 以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ れるものではない。

[0034] (実施例 1〜9及び比較例 1〜4)

くアクリル系ベース榭脂 >

2—ェチルへキシルアタリレート、メチルアタリレート、 2—ヒドロキシェチルアタリレー トからなる共重合体を使用した。

<放射線重合性化合物 >

ブチルアタリレート、 2—ェチルへキシルアタリレート、メチルメタタリレート、 2—ヒドロ キシェチルアタリレートを共重合して得られるポリマー 100質量部に対して、放射線 重合性炭素炭素二重結合を一つ以上有する化合物として 2—イソシァネートェチ ルメタタリレートを 5質量部付加して得られた放射線硬化性アクリル系ポリマーを使用 した。

[0035] <粘着剤の調製 >

上記アクリル系ベース榭脂 100質量部に、硬化剤としてポリイソシァネートイ匕合物( 日本ポリウレタン社製、商品名コロネート L)を 3質量部、上記放射線重合性化合物を 実施例、比較例に記載した配合部数、及び光重合開始剤として α—ヒドロキシシクロ へキシルフエ-ルケトンを 1質量部添加し、混合して粘着剤を得た。

[0036] <ウェハダイシング用粘着テープの作製 >

EMMA榭脂 (住友ィ匕学社製商品名、商品名:ァクリフト WD201)を用いて Tダイ法 により厚さ 100 mの基材フィルムを作製し、この基材フィルムに、表 1および表 2の 実施例 ·比較例に示された構成の内側の粘着剤層 (粘着剤層 2)及び最外層の粘着 剤層 (粘着剤層 1)を、それぞれ内側の粘着剤層の厚さが 35 m、最外層の粘着剤 層の厚さが 10 mとなるように、この順で塗工しウェハダイシング用粘着テープを得 た。

[0037] <評価 >

表 1および表 2の実施例'比較例のウェハダイシング用粘着テープを 8インチ用リン グフレームに貼着固定し、その貼着固定された状態でウェハダイシング用粘着テー プに 100 μ m厚の 8インチシリコンウェハを貼合し、ディスコ社製ダイシング装置 DA D340 (商品名)にて 5mm X 5mmのチップサイズにフルカットダイシングした。この際 のテープ面からのブレードの切り込み深さは表 1および表 2に示した深さとした。ダイ

シング後、高圧水銀灯ランプの紫外線照射機にてテープ背面側力照射量が 500m j/cm2となるように照射を行い、紫外線照射後、 NECマシナリー製 CPS— 100FM ( 商品名)を用いてエキスパンドストローク 12mmにてエキスパンドしその状態でピック アップを行った。ピックアップは先端径で R250の突き上げピンを用いて行った。評価 項目は以下の項目について実施した。結果を表 1および表 2に示す。

[0038] <糸状ダイシング屑発生数 >

ダイシングによりテープ力発生した糸状のダイシング屑の発生数を顕微鏡観察に てカウントした。観察はスクライブライン 5本分にっ、て実施した。

[0039] <細かい粉状の切り屑発生の有無 >

ダイシングにより粘着剤層から発生しウェハ上に付着した粉状の切り屑の発生数を 顕微鏡観察にてその有無を確認した。

[0040] <ピックアップ性評価 >

NECマシナリー製 CPS - 100FM (商品名)を用い、エキスパンドストロークを 2mm 及び 12mmとしてチップを実際にピックアップし、チップが問題なく突き上げ→円形コ レットにて吸着→リードフレーム上に設置、される力否を評価した。評価は、 8インチウ ェハの中力も 200チップをピックアップし、そのうち何チップが成功したかを評価した

[0041] <エキスパンド性 >

エキスパンドストローク 12mmでエキスパンドをした際ウェハ拡径率(エキスパンド時 のウェハ直径 Z8インチウェハの元の直径)、及びダイシングテープの破断の有無を 観祭した。

[0042] [表 1]

表 1


表 2]

表 2


* 1 ァクリ赚翻のみて職さ非 ¾*t*s¾ft^i翻

* 2 nk ^ ιを^!する前に蘭 utii匕させた

* 3 ァクリ J難翻 1のみてさこ非 ^ J

表:!〜 2から、以下のことがわかる。

実施例 1〜3からわかるように、糸状ダイシング屑、細かい粉状の切り屑の発生も無 くピックアップ性にも問題なぐ 12mmのストロークのエキスパンドでテープ破断はなく 、ウェハも十分に拡径された。また実施例 4では、粘着剤層 1の放射線重合性化合物 の含有量が若干低力つたためピックアップ性が若干低下したが、それ以外の項目に ついては実施例 1〜3と同様、何ら問題なく良好な結果が得られた。実施例 6, 7, 8, 9では、粘着剤層 2の放射線重合性ィ匕合物の含有量が若干低力つたためピックアツ プ性が若干低下した力それ以外の項目については実施例 1〜3と同様、何ら間題 なく良好な結果が得られた。また実施例 5では、粘着剤層 2の放射線重合性化合物 の含有量が若干多力つたために紫外線照射後に硬くなり、そのためエキスパンドによ るウェハ拡径が必ずしも十分でなぐ硬い粘着剤層を 12mmストロークでエキスパン ドしたために若干ピックアップ性が低下した力これら以外の項目については実施例

1〜3と同様、何ら問題無く良好な結果が得られた。

[0045] それに対して、比較例 1では、粘着剤層 2が予め紫外線照射により硬化されていた ため、ブレードによる切断の際に粘着剤層 2から多量の切り粉が発生しウェハ上に付 着、実用レベルにはなカゝつた。比較例 2では、粘着剤層 2には放射線硬化型粘着剤 が含まれておらず紫外線照射後も柔らカ、状態のままであったため、ピックアップ時 の突き上げピンによる突き上げ応力を柔らかい粘着剤層 2が吸収してしまい全くチッ プをピックアップする事が出来な力つた。

[0046] 比較例 3では、粘着剤層 1には放射線硬化型粘着剤が含まれて!/ヽな!ヽため粘着力 が低減せず、その結果、殆どチップをピックアップする事が出来な力つた。また比較 例 4では、粘着剤層 1と粘着剤層 2の、アクリル系粘着剤に対する放射線重合性化合 物の含有比率が同等で、且つ、放射線重合性化合物の含有量自体が多ぐ紫外線 照射後に両層とも硬くなりすぎて 12mmストロークのエキスパンドによりスクライブライ ン部で破断してしまった。

産業上の利用可能性

[0047] 本発明のウェハダイシング用粘着テープは、ウェハ等の被切断物をカ卩ェする際に 、該被切断物を支持固定する際に用いることができ、また、それを用いたチップの製 造方法においては、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐ薄膜化'小チップ 化の進んだ半導体チップを効率的に製造することができる。

[0048] 本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明 を説明のどの細部においても限定しょうとするものではなぐ添付の請求の範囲に示 した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。