WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006055731) CAPTEUR DE CONTRAINTE A CONTACT POUR SYSTEMES MICROELECTROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/055731    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/041722
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 15.11.2005
CIB :
G01L 1/18 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
KOTOVSKY, Jack [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOTOVSKY, Jack; (US)
Mandataire : SCOTT, Eddie, E.; P.O. Box 808, L-703, Livermore, CA 94551 (US)
Données relatives à la priorité :
60/629,271 17.11.2004 US
11/143,543 01.06.2005 US
Titre (EN) MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS CONTACT STRESS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CONTRAINTE A CONTACT POUR SYSTEMES MICROELECTROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A microelectromechanical systems stress sensor comprising a microelectromechanical systems silicon body. A recess is formed in the silicon body. A silicon element extends into the recess. The silicon element has limited freedom of movement within the recess. An electrical circuit in the silicon element includes a piezoresistor material that allows for sensing changes in resistance that is proportional to bending of the silicon element.
(FR)La présente invention concerne un capteur de contrainte destiné à des systèmes microélectromécaniques qui comprend un corps en silicium pour les systèmes microélectromécaniques. Un évidement est formé dans ce corps en silicium et un élément en silicium s'étend dans ledit évidement. Un circuit électrique se trouvant dans l'élément en silicium comprend un matériau de piézorésistance qui permet de détecter des changements de résistance qui sont proportionnels à la courbure de l'élément en silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)