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1. (WO2006055717) ACCES MEMOIRE ROBUSTE ET A GRANDE VITESSE AVEC SYNCHRONISATION D'INTERFACE ADAPTATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/055717    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/041692
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 16.11.2005
CIB :
G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
CHUN, Dexter Tamio [US/US]; (US) (US Seulement).
PATIL, Ajit [IN/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Ian [CA/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Jason [CA/US]; (US) (US Seulement).
GOLD, Timothy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHUN, Dexter Tamio; (US).
PATIL, Ajit; (US).
HUANG, Ian; (US).
CHAN, Jason; (US).
GOLD, Timothy; (US)
Mandataire : WADSWORTH, Philip R.; 5775 Morehouse Drive, San Diego, Califonia 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
10/993,034 18.11.2004 US
Titre (EN) ROBUST AND HIGH-SPEED MEMORY ACCESS WITH ADAPTIVE INTERFACE TIMING
(FR) ACCES MEMOIRE ROBUSTE ET A GRANDE VITESSE AVEC SYNCHRONISATION D'INTERFACE ADAPTATIVE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques for quickly and reliably accessing a memory device (e.g., a NAND Flash memory) with adaptive interface timing are described. For memory access with adaptive interface timing, the NAND Flash memory is accessed at an initial memory access rate, which may be the rate predicted to achieve reliable memory access. Error correction coding (ECC), which is often employed for NAND Flash memory, is then used to ensure reliable access of the NAND Flash. For a read operation, one page of data is read at a time from the NAND Flash memory, and the ECC determines whether the page read from the NAND Flash memory contains any errors. If errors are encountered, then a slower memory access rate is selected, and the page with error is read again from the NAND Flash memory at the new rate. The techniques may be used to write data to the NAND Flash memory.
(FR)L'invention concerne des techniques permettant d'accéder rapidement et de manière fiable à une mémoire (par exemple, une mémoire flash NON-ET) avec synchronisation d'interface adaptative. Pour l'accès mémoire avec synchronisation d'interface adaptative, l'accès à la mémoire flash NON-ET a lieu à une vitesse d'accès mémoire initiale, qui peut être la vitesse prédite afin d'obtenir un accès mémoire fiable. Un codage de correction d'erreurs (ECC), qui est souvent utilisé pour une mémoire flash NON-ET, est ensuite utilisé afin d'assurer un accès fiable à la mémoire flash NON-ET. Pour une opération de lecture, une page de données est lue à la fois à partir de la mémoire flash NON-ET et l'ECC détermine si la page lue à partir de la mémoire flash NON-ET contient une quelconque erreur. Si des erreurs sont trouvées, alors une vitesse d'accès mémoire plus lente est sélectionnée et la page présentant l'erreur est lue à nouveau à partir de la mémoire flash NON-ET à la nouvelle vitesse. Lesdites techniques peuvent être utilisées pour écrire des données dans la mémoire flash NON-ET.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)