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1. (WO2006055513) PROCEDES DE FORMATION DE CIBLES TRIDIMENSIONNELLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/055513    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/041255
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 15.11.2005
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), B22F 3/15 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; LAW DEPT. AB2, P.O. BOX 2245, 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962 (US) (Tous Sauf US).
YI, Wuwen [CN/US]; (US) (US Seulement).
STROTHERS, Susan, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MORALES, Diana, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
LYCAN, Rodger, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
NOLANDER, Ira [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YI, Wuwen; (US).
STROTHERS, Susan, D.; (US).
MORALES, Diana, L.; (US).
LYCAN, Rodger, W.; (US).
NOLANDER, Ira; (US)
Mandataire : LATWESEN, David, G.; WELLS ST. JOHN P.S., 601 W. First Ave, Suite 1300, Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
60/629,532 18.11.2004 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING THREE-DIMENSIONAL PVD TARGETS
(FR) PROCEDES DE FORMATION DE CIBLES TRIDIMENSIONNELLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention includes methods by which hot isostatic pressing is utilized to form physical vapor deposition targets. In particular aspects, the physical vapor deposition targets can contain one or more of iridium, cobalt, ruthenium, tungsten, molybdenum, titanium, aluminum and tantalum; and/or one or more of aluminides, silicides, carbides and chalcogenides. The invention also includes three-dimensional targets which include one or more of iridium, cobalt, ruthenium, tungsten molybdenum, titanium, aluminum and tantalum.
(FR)L'invention concerne notamment des procédés permettant d'utiliser le pressage isostatique à chaud pour former des cibles de dépôt physique en phase vapeur. Dans des aspects particuliers, ces cibles peuvent contenir un ou plusieurs éléments d'iridium, de cobalt, de ruthénium, de tungstène, de molybdène, de titane, d'aluminium et de tantale; et/ou un ou plusieurs aluminures, siliciures, carbures et chalcogénures. L'invention concerne également des cibles tridimensionnelles qui comportent un ou plusieurs éléments d'iridium, de cobalt, de ruthénium, de tungstène, de molybdène, de titane, d'aluminium et de tantale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)