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1. (WO2006055200) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UNE COUCHE D'EXCLUSION DE PORTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/055200    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/038612
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 26.10.2005
CIB :
H01L 31/072 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Déposants : AGILENT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 395 Page Mill Road, Palo Alto, California 94306 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : KOPLEY, Thomas, Edward; (US).
HUESCHEN, Mark, Robert; (US).
MOLL, Nicolas, J.; (US)
Mandataire : HARDCASTLE, Ian; Agilent Technologies, INC., Intellectual Property Administration, M/S DL-429, P.o. Box 7599, Loveland, Colorado 80537-0599 (US)
Données relatives à la priorité :
10/991,014 17.11.2004 US
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A CARRIER EXCLUSION LAYER
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UNE COUCHE D'EXCLUSION DE PORTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A field -effect transistor (100) comprises a substrate (102), a channel layer (122) over the substrate (102), a gate insulator (126), a gate (128) separated from the channel layer (122) by the gate insulator (126), and a carrier exclusion layer (125) between the channel layer (122) and the gate insulator (126), wherein the conduction band energy of the carrier exclusion layer (125) is larger than the conduction band energy of the channel layer (122).
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ (100) comprenant un substrat (102), une couche canal (122) disposée sur le substrat (102), un isolant de grille (126), une grille (128) séparée de la couche canal (122) par l'isolant de grille (126), et une couche d'exclusion de porteurs (125) disposée entre la couche canal (122) et l'isolant de grille (126), l'énergie de la bande de conduction de la couche d'exclusion de porteurs (125) étant supérieure à l'énergie de la bande de conduction de la couche canal (122).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)