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1. (WO2006054952) PRODUCTION DE NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS COEUR-ENVELOPPE DANS DES SOLUTIONS AQUEUSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054952    N° de la demande internationale :    PCT/SG2005/000382
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 09.11.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2006    
CIB :
B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), C30B 29/46 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY & RESEARCH [SG/SG]; 20 Biopolis Way, #07-01 Centros, Singapore 138668 (SG) (Tous Sauf US).
WANG, Lian Hui [CN/SG]; (SG) (US Seulement).
WU, Ji-En [CN/SG]; (SG) (US Seulement).
ZHANG, Lian Hui [AU/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Lian Hui; (SG).
WU, Ji-En; (SG).
ZHANG, Lian Hui; (SG)
Mandataire : ALBAN TAY MAHTANI & DE SILVA; 39 Robinson Road, #07-01 Robinson Point, Singapore 068911 (SG)
Données relatives à la priorité :
60/629,478 19.11.2004 US
Titre (EN) PRODUCTION OF CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS IN AQUEOUS SOLUTIONS
(FR) PRODUCTION DE NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS COEUR-ENVELOPPE DANS DES SOLUTIONS AQUEUSES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of forming a core/shell nanocrystal of semiconductor material. Typically the core may comprise CdTe and the shell may be CdS. The shell is synthesised on the core in an aqueous solution. In the method, the previously synthesised cores are placed in the aqueous solution, reactants that form the shell and a thiol such as 3-mercaptopropionic acid (MPA) are added, and the mixture is refluxed until the completion of the shell at the desired thickness. The synthesis of the shell is aided by the provision of an interface zone between the shell and core so that lattice mismatch between the core and shell is reduced. The interface zone may be produced using a method that provides a gradient alloyed core with increased levels of sulphur, for example, at the surface relative to the centre of the core. Alternatively the interface zone may be a separate layer on a homogenous core.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire un nanocristal coeur-enveloppe constitué d'un matériau semi-conducteur. Généralement, le coeur peut comprendre du CdTe et l'enveloppe peut être du CdS. L'enveloppe est synthétisée sur le coeur dans une solution aqueuse. Dans ce procédé, les coeurs précédemment synthétisés sont placés dans la solution aqueuse, les réactifs qui forment l'enveloppe et un thiol tel que de l'acide 3-mercaptopropionique (MPA) sont ajoutés et le mélange est reflué jusqu'à ce que l'enveloppe soit terminée à l'épaisseur voulue. Le placement d'une zone d'interface entre l'enveloppe et le coeur contribue à la synthèse de l'enveloppe de façon que l'inégalité des paramètres de maille entre le coeur et l'enveloppe soit réduite. La zone d'interface peut être produite au moyen d'un procédé qui produit un coeur à alliage à gradient présentant des taux élevés de soufre, par exemple, au niveau de la surface par rapport au centre du coeur. Dans une variante, la zone d'interface peut être une couche séparée sur un coeur homogène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)