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1. (WO2006054854) METHODE POUR DEPOSER UN FILM MINCE AU MOYEN D'UN DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE (ALD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054854    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/003860
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 15.11.2005
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : IPS LTD. [KR/KR]; 33 Jije-dong, Pyungtaek-city,, Kyungki-do 450-090 (KR) (Tous Sauf US).
LIM, Hong-Joo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sahng-Kyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SEO, Tae-wook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHANG, Ho-Seung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LIM, Hong-Joo; (KR).
LEE, Sahng-Kyu; (KR).
SEO, Tae-wook; (KR).
CHANG, Ho-Seung; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; The Cheonghwa Bldg. 1571-18 Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-874 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0094603 18.11.2004 KR
Titre (EN) A METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM USING ALD
(FR) METHODE POUR DEPOSER UN FILM MINCE AU MOYEN D'UN DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE (ALD)
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for depositing a thin film using atomic layer deposition (ALD). The method includes a cycle repeatedly performed, wherein the cycle includes the operations: primary feeding g a first reaction source into a chamber in which a substrate is received; primary purging the first reaction source from the chamber; secondary feeding a second reaction source into the chamber; and secondary purging the second reaction source which does not react with the first reaction source or a by-product generated when the second reaction source reacts with the first reaction source, from the chamber, wherein, when at least one of the primary purging operation and the secondary purging operation is performed, plasma is applied into the chamber.
(FR)L'invention concerne une méthode pour déposer un film mince au moyen d'un dépôt de couche atomique (ALD). Cette méthode comprend un cycle répétitivement effectué. Ce cycle comprend les opérations consistant à: effectuer une première injection d'une première source réactionnelle dans un compartiment dans lequel un substrat est reçu; effectuer une première purge de la première source réactionnelle du compartiment, effectuer une seconde injection d'une seconde source réactionnelle dans le compartiment, et effectuer une seconde purge, à partir du compartiment, de la seconde source réactionnelle qui ne réagit pas avec la première source réactionnelle, ni avec un sous-produit généré lors de la réaction de la seconde source réactionnelle avec la première source réactionnelle. Lorsqu'au moins une opération de purge est effectuée, la première ou la deuxième, du plasma est appliqué dans le compartiment.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)