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1. (WO2006054823) CONTACTEUR EN SILICIUM INTEGRE ET COUCHE RENFORÇANT LA CONDUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054823    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/002804
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 25.08.2005
CIB :
G01R 1/067 (2006.01)
Déposants : ISC TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; Keumkang Hi-Tech II 9F, 138-1, Sangdaewon-Dong, Jungwon-Ku, Seongnam-City, Kyunggi-Do 462-806 (KR) (Tous Sauf US).
HA, Dong-Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : HA, Dong-Ho; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNER; The Cheonghwa Bldg. 1571-18, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-874 (KR)
Données relatives à la priorité :
20-2004-0024557 27.08.2004 KR
Titre (EN) INTEGRATED SILICONE CONTACTOR WITH CONDUCTION REINFORCEING LAYER
(FR) CONTACTEUR EN SILICIUM INTEGRE ET COUCHE RENFORÇANT LA CONDUCTION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is an integrated silicone contractor comprises: a plurality of conductive silicone parts formed at a region which are in close contact with a plurality of ball leads of a ball grid array (BGA) type semiconductor device, the conductive silicone parts being made by mixing conductive metal powder with silicone; and a plurality of insulation silicone parts formed at a region which are not in close contact with the ball leads of the BGA type semiconductor device in such a fashion that each insulation silicone part is interposed between two adjacent insulation silicone parts to support the conductive silicone part, the insulation silicone parts serving as an insulation layer, wherein the conductive silicone part is formed on the top surface or/and the bottom surface thereof with a conductive reinforcing layer containing conductive powder having a higher density than that of conductive powder contained in the conductive silicone part so as to improve conductivity of the conductive reinforcing layer.
(FR)L’invention décrit un contacteur en silicium intégré comprenant : une pluralité de pièces conductrices en silicium formées au niveau d’une région et qui sont en contact étroit avec une pluralité de fils de soudure d’un dispositif semi-conducteur de type grille matricielle à billes (BGA), les pièces conductrices en silicium étant fabriquées en mélangeant une poudre métallique conductrice avec du silicium ; et une pluralité de pièces isolantes en silicium formées au niveau d’une région et qui ne sont pas en contact étroit avec les fils de soudure du dispositif semi-conducteur de type BGA d’une manière telle que chaque pièce isolante en silicium est intercalée entre deux pièces isolantes en silicium adjacentes pour soutenir la pièce conductrice en silicium, les pièces isolantes en silicium servant de couche isolante. Selon l’invention, la pièce conductrice en silicium est formée sur la surface supérieure ou/et la surface inférieure de celle-ci, une couche renforçant la conduction contenant une poudre conductrice ayant une densité supérieure à celle de la poudre conductrice contenue dans la pièce conductrice en silicium de manière à améliorer la conductivité de la couche renforçant la conduction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)