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1. (WO2006054610) APPAREIL POUR LA PRODUCTION DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054610    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/021055
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 16.11.2005
CIB :
C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (Tous Sauf US).
SASAURA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHDA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIURA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SASAURA, Masahiro; (JP).
KOHDA, Hiroki; (JP).
FUJIURA, Kazuo; (JP)
Mandataire : TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-332067 16.11.2004 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR CRYSTAL PRODUCTION
(FR) APPAREIL POUR LA PRODUCTION DE CRISTAUX
(JA) 結晶製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A temperature distribution around seed crystals is locally controlled to grow high-quality crystals under optimal temperature conditions in a satisfactory yield. In the apparatus for crystal production, seed crystals (14) are disposed in a crucible (11) held in an oven and a raw material (12) packed in the crucible (11) is heated and liquefied. This raw material (12) is gradually cooled from a lower part toward an upper part thereof to thereby grow crystals. The apparatus is equipped with a temperature controller for locally cooling or heating a part around the seed crystals (14). The temperature controller controls temperatures with a cap (17) of a hollow structure attached to the outside of the crucible (11) and based on the regulation of the flow rate of a refrigerant flowing in the hollow part.
(FR)La présente invention concerne le contrôle local de la répartition de la température autour de germes cristallins permettant la croissance de cristaux de grande qualité, dans des conditions de température optimales et avec un rendement satisfaisant. Dans l’appareil de production de cristaux, des germes cristallins (14) sont disposés dans un creuset (11) placé dans un four et une matière première (12) qui remplit le creuset (11) est chauffée et liquéfiée. Cette matière première (12) est graduellement refroidie en partant de l'une de ses parties inférieures vers une partie supérieure pour ainsi faire croître des cristaux. L’appareil est équipé d’un dispositif de régulation de la température permettant de refroidir ou chauffer localement une partie autour des germes cristallins (14). Le dispositif de régulation de la température contrôle les températures au moyen d’une coiffe (17) d’une structure creuse fixée sur l’extérieur du creuset (11) et fonctionnant par régulation du débit d’un réfrigérant s’écoulant dans la partie creuse.
(JA) 種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。炉内に保持されたるつぼ(11)内に種子結晶(14)を配置し、るつぼ(11)内に充填された原料(12)を加熱液化し、るつぼ(11)の下方より上方に向かって、原料(12)を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、種子結晶(14)の近傍を局所的に冷却または加熱する温度制御手段を備えた。温度制御手段は、るつぼ(11)の外側に取り付けられた中空構造のキャップ(17)と、中空部に流れる冷媒の流量調整により温度を制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)