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1. (WO2006054606) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE POUR FABRIQUER LE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054606    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/021048
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 16.11.2005
CIB :
H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
MIYATA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASAI, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGUCHI, Shingo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYATA, Osamu; (JP).
KASAI, Masaki; (JP).
HIGUCHI, Shingo; (JP)
Mandataire : INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-332175 16.11.2004 JP
2005-007983 14.01.2005 JP
2005-188732 28.06.2005 JP
2005-224421 02.08.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE POUR FABRIQUER LE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor chip having a passivation film, and a sealing resin layer which is arranged on the passivation film for sealing the front surface side of the semiconductor chip. The sealing resin layer extends around to the sides of the passivation film, thereby covering the lateral surfaces of the passivation film.
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une puce à semi-conducteur ayant un film de passivation, et une couche de résine de scellage qui est agencée sur le film de passivation pour sceller le côté de surface avant de la puce à semi-conducteur. La couche de résine de scellage s’étend autour sur les côtés du film de passivation, recouvrant de ce fait les surfaces latérales du film de passivation.
(JA) この発明の半導体装置は、パッシベーション膜を有する半導体チップと、前記パッシベーション膜上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層とを備えている。前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)