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1. (WO2006054580) SIMPLE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR EN COMPOSÉ CdTe
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054580    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/021010
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 16.11.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.04.2006    
CIB :
C30B 29/48 (2006.01)
Déposants : NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058407 (JP) (Tous Sauf US).
ARAKAWA, Atsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAKAWA, Atsutoshi; (JP).
HIRANO, Ryuichi; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-334352 18.11.2004 JP
Titre (EN) CdTe COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
(FR) SIMPLE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR EN COMPOSÉ CdTe
(JA) CdTe系化合物半導体単結晶
Abrégé : front page image
(EN)A CdTe compound semiconductor single crystal useful for a substrate for optical devices such as an infrared sensor is provided by specifying a resistivity and a contained quantity of impurities of the CdTe compound semiconductor single crystal. The CdTe compound semiconductor single crystal for optical devices contains a first group (1A) element of 5×1014-6×1015cm-3 in the crystal. A total quantity of a 13th (3B) group element and a 17th (7B) group element contained in the crystal is less than 2×1015cm-3 and is less than the total quantity of the first (1A) group element, and the resistivity is permitted to be 10-104?cm.
(FR)L’invention propose un simple cristal semi-conducteur en composé CdTe utile pour un substrat pour dispositifs optiques comme un capteur infrarouge en précisant une résistivité et une quantité contenue d’impuretés du simple cristal semi-conducteur en composé CdTe. Le simple cristal semi-conducteur en composé CdTe pour dispositifs optiques contient un élément de premier groupe (1A) de 5×1014 à 6×1015cm-3 dans le cristal. Une quantité totale d’un élément de 13e groupe (3B) et un élément de 17e groupe (7B) contenus dans le cristal est inférieure à 2×1015cm-3 et inférieure à la quantité totale de l’élément de premier groupe (1A), et la résistivité peut être de 10-104?cm.
(JA) CdTe系化合物半導体単結晶の抵抗率と含有不純物量を規定し、赤外線センサ等の光デバイス用の基板として有用なCdTe系化合物半導体単結晶を提供する。  光デバイス用のCdTe系化合物半導体単結晶であって、前記結晶中に5×1014~6×1015cm-3の第1(1A)族元素を含み、前記結晶中に含まれる第13(3B)族元素と第17(7B)族元素の総量が2×1015cm-3未満であり、かつ前記第1(1A)族元素の総量よりも少なくなるようにして、抵抗率が10~104Ωcmとなるようにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)