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1. (WO2006054528) DISPOSITIF D'IMPLANTATION IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054528    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020872
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 14.11.2005
CIB :
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : ULVAC CO., LTD [JP/JP]; 2500, Hagizono, Chigasaki-City Kanagawa 253-8543 (JP) (Tous Sauf US).
OGATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURADA, Yuzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEKIGUCHI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIHASHI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGATA, Seiji; (JP).
SAKURADA, Yuzo; (JP).
SEKIGUCHI, Masayuki; (JP).
NISHIHASHI, Tsutomu; (JP)
Mandataire : TAKAHASHI, Yousuke; Howa Patent Attorneys and Engineering Consultants 2nd Hirota Bld. 13-3, Nihonbashi-Kayaba-Cho 3-chome Chu-o-ku, Tokyo 103-0025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-335845 19.11.2004 JP
Titre (EN) ION IMPLANTATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMPLANTATION IONIQUE
(JA) イオン注入装置
Abrégé : front page image
(EN)There is provided an ion implantation device capable of suppressing spread of an ion beam and accurately controlling a scan waveform, there by obtaining a large scan angle in the order of 10 degrees. In the ion implantation device, a first, a second, and a third chamber (12A, 14A, 16A) are arranged at predetermined positions on the beam line. The second chamber (14A) is arranged with a first and a second gap (20A, 22A) with respect to the first and the third chamber (12A, 16A). The second chamber (14A) is electrically insulated from the first and the third chamber (12A, 16A) via a first and a second electrode pair (26A, 28A) mounted on the first and the second gap (20A, 22A), respectively. At least one of the first and the second electrode pair (26A, 28A) obliquely intersects a reference axis J of the ion beam with a predetermined angle. The second chamber (14A) includes an ion beam scan mechanism (10A) connected to a scan power source (40A) for applying a potential of a desired scan waveform.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'implantation ionique capable de supprimer l'étalement d'un faisceau ionique et de commander précisément une forme d'onde de balayage, ce qui permet d'obtenir un grand angle de balayage de l'ordre de 10 degrés. Ledit dispositif d'implantation ionique comprend une première, une deuxième et une troisième chambre (12A, 14A, 16A) agencées à des positions prédéterminées sur une ligne du faisceau. La deuxième chambre (14A) présente un premier et un second intervalle (20A, 22A) par rapport à la deuxième et à la troisième chambre (12A, 16A). La deuxième chambre (14A) est isolée électriquement de la première et de la troisième chambre (12A, 16A) via une première et une seconde paire d'électrodes (26A, 28A) montées respectivement sur le premier et le second intervalle (20A, 22A). Au moins l'une de la première et de la seconde paire d'électrodes (26A, 28A) coupe obliquement un axe de référence J du faisceau ionique et forme un angle prédéterminé. La deuxième chambre (14A) comprend un mécanisme de balayage à faisceau ionique (10A) connecté à une source d'énergie de balayage (40A) permettant d'appliquer un potentiel de forme d'onde de balayage désiré.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)