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1. (WO2006054409) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, ENSEMBLE PLAQUE DE RENFORT POUR CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SYSTÈME DE DÉPOSITION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054409    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018922
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 14.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.02.2006    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP) (Tous Sauf US).
MIYASHITA, Hirohito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYASHITA, Hirohito; (JP)
Mandataire : OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F 3-1-10 Toranomon, MInato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-332532 17.11.2004 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET, SPUTTERING TARGET BACKING PLATE ASSEMBLY AND FILM DEPOSITION SYSTEM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, ENSEMBLE PLAQUE DE RENFORT POUR CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SYSTÈME DE DÉPOSITION DE FILM
(JA) スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体及び成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that one or a plurality of recesses are provided in the target surface region, and the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. An inexpensive, small-capacity power supply can be used by minimizing electrical variation in a sputter circuit as much as possible throughout the lifetime of the target by self sputtering or high power sputtering.
(FR)L’invention concerne une cible de pulvérisation cathodique, c’est-à-dire une cible plane sur laquelle sont formées une portion d’érosion et une portion de non-érosion, caractérisée en ce que la superficie de celle-ci est comprise entre 100% et 125% d’une superficie lorsque l’on suppose que la cible est plane. Elle porte également sur une cible de pulvérisation cathodique, c’est-à-dire une cible plane sur laquelle sont formées une portion d’érosion et une portion de non-érosion, caractérisée en ce qu’un retrait ou bien une pluralité de retraits sont disposés dans la région de surface de la cible, et en ce que la superficie de celle-ci est comprise entre 100% et 125% d’une superficie lorsque l’on suppose que la cible est plane. On peut utiliser une alimentation peu onéreuse, de faible capacité en minimisant la variation électrique dans un circuit de pulvérisation cathodique autant que faire se peut pendant toute la durée de vie de la cible par auto-pulvérisation cathodique ou bien pulvérisation cathodique haute puissance.
(JA) エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、その表面積が、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、ターゲット表面領域に1又は複数の凹部を備え、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。自己スパッタやハイパワースパッタ化により、ターゲットの全寿命を通して、スパッタ回路における電気的な変動を可能な限り小さなものに抑えることにより、容量の小さな安価な電源装置を使用することを可能にする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)