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1. (WO2006054339) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054339    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/017089
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 17.11.2004
CIB :
H01L 25/00 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
TSUJI, Kazuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUJI, Kazuto; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a substrate, a semiconductor element mounted on the substrate, a heat diffusing member, which covers the semiconductor element and is mounted on the substrate, and a sealing resin which covers the semiconductor element. An integrated capacitor is mounted on the heat diffusing member by facing the semiconductor element, and is electrically connected with the semiconductor element. A terminal of the integrated capacitor is connected with a terminal of the semiconductor element at the shortest distance. Furthermore, the heat diffusing member includes a first metal plate and a second metal plate, which are separated by an insulating layer, and a part of the terminals of the integrated capacitor is connected with a corresponding terminal of the substrate through the first metal plate, and another part of the terminals of the integrated capacitor is connected with a corresponding terminal of the substrate through the second metal plate. Thus, increase of inductance due to an additional capacitor can be suppressed.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un substrat, un élément semi-conducteur monté sur le substrat, un élément de diffusion de chaleur, qui recouvre l’élément semi-conducteur et est monté sur le substrat, et une résine d’étanchéité qui recouvre l’élément semi-conducteur. Selon l’invention, un condensateur intégré est monté sur l’élément de diffusion de chaleur en faisant face à l’élément semi-conducteur et il est raccordé électriquement à l’élément semi-conducteur. Un terminal du condensateur intégré est raccordé à un terminal de l’élément semi-conducteur à la distance la plus courte. En outre, l’élément de diffusion de chaleur comprend une première plaque métallique et une seconde plaque métallique, séparées par une couche isolante. Une partie des terminaux du condensateur intégré est raccordée à un terminal correspondant du substrat à travers la première plaque métallique, et une autre partie des terminaux du condensateur intégré est raccordée à un terminal correspondant du substrat à travers la seconde plaque métallique. Ainsi, l’augmentation de l’inductance due à un condensateur supplémentaire n’est plus nécessaire.
(JA) 半導体装置は、基板と、基板に搭載された半導体素子と、半導体素子を覆って基板に取り付けられた熱拡散部材と、半導体素子を覆う封止樹脂とを含む。集積コンデンサが半導体素子と対向して熱拡散部材に取り付けられ且つ半導体素子と電気的に接続される。集積コンデンサの端子と半導体素子の端子とが最短距離で接続される。さらに、熱拡散部材は絶縁層で分離された第1の金属板と第2の金属板とを含み、集積コンデンサの一部端子は第1の金属板を介して基板の対応する端子に接続され、集積コンデンサの別の一部の端子は第2の金属板を介して基板の対応する端子に接続される。これによって、コンデンサ追加によるインダクタンスの増加を抑えることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)