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1. (WO2006053543) MESURE ELECTRIQUE DE L'EPAISSEUR D'UNE COUCHE DE SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/053543    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/002063
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 16.11.2005
CIB :
G01B 7/06 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), G01R 27/14 (2006.01), G01N 27/04 (2006.01)
Déposants : X-FAB Semiconductor Foundries AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, 99097 Erfurt (DE) (Tous Sauf US).
FREYWALD, Karlheinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOELZER, Giesbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HERING, Siegfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KUNISS, Uta [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
VAN DER WIEL, Appo [NL/BE]; (BE) (US Seulement)
Inventeurs : FREYWALD, Karlheinz; (DE).
HOELZER, Giesbert; (DE).
HERING, Siegfried; (DE).
KUNISS, Uta; (DE).
VAN DER WIEL, Appo; (BE)
Mandataire : Leonhard Olgemoeller Fricke; Postfach 10 09 62, 80083 München, (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 055 181.2 16.11.2004 DE
Titre (DE) ELEKTRISCHE MESSUNG DER DICKE EINER HALBLEITERSCHICHT
(EN) ELECTRICAL MEASUREMENT OF THE THICKNESS OF A SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) MESURE ELECTRIQUE DE L'EPAISSEUR D'UNE COUCHE DE SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur elektrischen Messung der Dicke von Halbleiterschichten (10, 11, 12) angegeben. Aktive Schichten auf SOI-Scheiben, EPI-Schichten mit inversem Leitungstyp und Membrandicken können gemessen werden. Dazu wird eine Teststruktur verwendet, die routinemässig im Laufe eines Fertigungsprozesses ausgemessen werden kann. Die Gestaltung der Teststruktur (Al bis Fl) erfolgt vorzugsweise ringförmig, damit ein hoher Grad an Symmetrie bei der Ausbreitung des Messstromes erfolgt, und damit zu den umgebenden Strukturen keine Wechselwirkungen entstehen können. Der 'Durchmesser' der Anordnung kann dem entsprechenden Dickenbereich der zu messenden Halbleiterschicht angepasst werden. Die Anordnung lässt sich unter Nutzung von herkömmlichen U-I Parameter-Testsystemen bewerten, die üblicherweise in einer Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Die Bestimmung der Schichtdicke erfolgt durch zwei aufeinanderfolgende Vierpolmessungen an sechs Kontaktgebieten.
(EN)A method for the electrical measurement of the thickness of semiconductor layers (10, 11, 12) is disclosed. Active layers on SOI wafers, EPI layers with inverse conductor types and membrane thickness can be measured by use of a test structure which can routinely be measured during a production process. The embodiment of the test structure (Al to Fl) is preferably annular, such that a high degree of symmetry is achieved on propagation of the measuring current and such that no interactions occur with surrounding structures. The diameter of the arrangement can be matched to the corresponding thickness range of the semiconductor layer for measurement. The arrangement can be measured using conventional U-I parameter test systems, conventionally applied in semiconductor production. The determination of layer thickness is achieved by means of two sequential quadrupole measurements at six contact points.
(FR)L'invention concerne un procédé de mesure électrique de l'épaisseur de couches de semiconducteur (10, 11, 12). Des couches actives sur des plaquettes de silicium sur isolant (SOI), des couches épitaxiales à conduction de type inverse et des épaisseurs de membrane peuvent être mesurées. A cet effet, on utilise une structure d'essai pouvant être mesurée de façon routinière au cours d'un processus de fabrication. Cette structure d'essai (A1 à F1) présente, de préférence, une forme annulaire, permettant d'obtenir un haut niveau de symétrie lors de la propagation du courant de mesure et d'éviter toute interférence avec les structures environnantes. Le 'diamètre' de l'ensemble peut être adapté à la gamme d'épaisseurs correspondante de la couche de semiconducteur à mesurer. Cet ensemble peut être évalué au moyen de systèmes d'essai de paramètres UI classiques utilisés habituellement lors d'une fabrication de semiconducteur. L'épaisseur des couches est déterminée par deux mesures quadripolaires successives au niveau de six zones de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)