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1. (WO2006053518) DISPOSITIF COMPRENANT UNE PILE SOLAIRE ET UNE DIODE DE DERIVATION INTEGREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/053518    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001985
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 03.11.2005
CIB :
H01L 27/142 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27 c, 80636 München (DE) (Tous Sauf US).
RWE SPACE SOLAR POWER GMBH [DE/DE]; Theresienstr. 2, 74072 Heilbronn (DE) (Tous Sauf US).
ALBERT-LUDWIGS- UNIVERSITÄT FREIBURG [DE/DE]; Fahnenbergplatz, 79085 Freiburg (DE) (Tous Sauf US).
VAN RIESEN, Sascha [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LÖCKENHOFF, Rüdiger [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STROBL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DIETRICH, Ron [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KOESTLER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : VAN RIESEN, Sascha; (DE).
LÖCKENHOFF, Rüdiger; (DE).
STROBL, Gerhard; (DE).
DIETRICH, Ron; (DE).
KOESTLER, Wolfgang; (DE)
Mandataire : GAGEL, Roland; Landsbergerstrasse 480a, 81241 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 055 225.8 16.11.2004 DE
Titre (DE) ANORDNUNG MIT SOLARZELLE UND INTEGRIERTER BYPASS-DIODE
(EN) ARRANGEMENT COMPRISING A SOLAR CELL AND AN INTEGRATED BYPASS DIODE
(FR) DISPOSITIF COMPRENANT UNE PILE SOLAIRE ET UNE DIODE DE DERIVATION INTEGREE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung mit zumindest einer Solarzelle, die durch eine erste Schichtfolge (1, 2, 11, 12) unterschiedlich dotierter Schichten über einem Substrat (6, 16) gebildet ist, und zumindest einer Bypass-Diode, die mit der Solarzelle verschaltet ist, insbesondere in einem monolithisch serienverschalteten Solarmodul . Die Anordnung zeichnet sich dadurch aus, dass die Bypass-Diode durch eine zweite Schichtfolge (4, 5, 13, 14) gebildet ist, die zwischen dem Substrat und der ersten Schicht folge (1, 2, 11, 12) angeordnet ist. Mit der vorliegenden Anordnung lassen sich bei einem sehr geringen Verlust an aktiver Empfangsfläche monolithisch serienverschaltete Solarmodule bilden, bei denen die Solarzellen durch Bypass-Dioden geschützt sind.
(EN)The current invention concerns an arrangement comprising at least one solar cell, which is formed by a first sequence (1, 2, 11, 12) of differently doped layers on a substrate (6, 16), and at least one bypass diode, which is connected to the solar cell, in particular in a monolithic, series-connected solar module. The arrangement is characterised in that the bypass diode is formed by a second layer sequence (4, 5, 13, 14), which is arranged between the substrate and the first layer sequence (1, 2, 11, 12). With the current arrangement it is possible to form monolithic, series-connected solar modules in which the solar cells are protected by bypass diodes, with only a very slight loss of active receiving surface.
(FR)La présente invention concerne un dispositif comprenant au moins une pile solaire qui est formée d'une première série de couches (1, 2, 11, 12) composée de couches différemment dopées, appliquées sur un substrat (6, 16), et au moins une diode de dérivation qui est connectée à la pile solaire en particulier dans un module solaire connecté en série de façon monolithique. Le dispositif se caractérise en ce que la diode de dérivation est formée par une seconde série de couches (4, 5, 13, 14) qui est disposée entre le substrat et la première série de couches (1, 2, 11, 12). Le dispositif de l'invention permet la réalisation de modules solaires connectés en série de façon monolithique, dans lesquels les piles solaires sont protégées par des diodes de dérivation, pour des pertes très limitées en surface de réception active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)