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1. (WO2006053242) CUIVRAGE ELECTROLYTIQUE EN MICRO-ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/053242    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/040996
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 14.11.2005
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : ENTHONE INC. [US/US]; 350 Frontage Road, West Haven, Connecticut 06516 (US) (Tous Sauf US).
PANECCASIO, Vincent [US/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Xuan [US/US]; (US) (US Seulement).
FIGURA, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
HURTUBISE, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PANECCASIO, Vincent; (US).
LIN, Xuan; (US).
FIGURA, Paul; (US).
HURTUBISE, Richard; (US)
Mandataire : FLEISCHUT, Paul, I.j.; Senniger Powers, 1 Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, Missouri 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/627,700 12.11.2004 US
Titre (EN) COPPER ELECTRODEPOSITION IN MICROELECTRONICS
(FR) CUIVRAGE ELECTROLYTIQUE EN MICRO-ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An electrolytic plating method and composition for electrolytically plating Cu onto a semiconductor integrated circuit substrate having submicron-sized interconnect features. The composition comprises a source of Cu ions and a suppressor compound comprising polyether groups. The method involves superfilling by rapid bottom-up deposition at a superfill speed by which Cu deposition in a vertical direction from the bottoms of the features to the top openings of the features is substantially greater than Cu deposition on the side walls.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dépôt électrolytique et sur une composition utilisée dans le cuivrage électrolytique d'un substrat de circuit intégré à semi-conducteurs possédant des caractéristiques d'interconnexion de taille submicronique. La composition comprend une source d'ions de cuivre et un composé suppresseur comprenant des groupes de polyéther. Le procédé consiste à effectuer un sur-remplissage par dépôt rapide de bas en haut à une vitesse de sur-remplissage selon laquelle le dépôt de cuivre dans un sens vertical, du bas du dispositif jusqu'aux ouvertures supérieures de celui-ci, est sensiblement supérieur au dépôt du cuivre sur les parois latérales.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)