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1. (WO2006053221) DISPOSITIF D'EJECTION D'UN MICROFLUIDE A ENERGIE ULTRAFAIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/053221    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/040937
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 11.11.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2006    
CIB :
B41J 2/05 (2006.01), H05B 3/00 (2006.01)
Déposants : LEXMARK INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 740 West New Circle, Lexington, KY 40550 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : ANDERSON, Frank, E.; (US).
CORNELL, Robert, W.; (US).
HUBER, Daniel, L.; (US)
Mandataire : BARKER, Scott, N.; LEXMARK INTERNATIONAL, INC, 740 West New Circle Road, Lexington, KY 40550 (US)
Données relatives à la priorité :
10/986,338 11.11.2004 US
Titre (EN) ULTRA-LOW ENERGY MICRO-FLUID EJECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'EJECTION D'UN MICROFLUIDE A ENERGIE ULTRAFAIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A micro-fluid ejection device for ultra-small droplet ejection and method of making a micro-fluid ejection device. The micro-fluid ejection device includes a semiconductor substrate containing a plurality of thermal ejection actuators disposed thereon. Each of the thermal ejection actuators includes a resistive layer and a protective layer for protecting a surface of the resistive layer. The resistive layer and the protective layer together define an actuator stack thickness. The actuator stack thickness ranges from about 500 to about 2000 Angstroms and provides an ejection energy per unit volume of from about 10 to about 20 gigajoules per cubic meter. A nozzle plate is attached to the semiconductor substrate to provide the micro-fluid ejection device.
(FR)Dispositif d'éjection d'un microfluide pour éjection de gouttelettes ultra-petites et procédé de fabrication d'un tel dispositif. Ce dernier comprend un substrat à semi-conducteurs comprenant une pluralité d'actionneurs d'éjection thermique disposés sur le substrat. Chaque actionneur comprend une couche de résistance et une couche de protection d'une surface de la couche de résistance. La couche de résistance et la couche de protection délimitent ensemble l'épaisseur de l'actionneur comprise entre environ 500 et environ 2000 Angströms et assurent une énergie d'éjection par volume d'unité comprise entre environ 10 et environ 20 gigajoules par mètre cube. Une plaque buse est fixée sur le substrat semi-conducteurs afin d'équiper le dispositif d'éjection de microfluide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)