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1. (WO2006053032) PROCEDE THERMIQUE PERMETTANT DE CREER UNE COUCHE DE JONCTION IN SITU DANS UN CIGS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/053032    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/040575
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 10.11.2005
CIB :
H01L 31/0216 (2006.01)
Déposants : DAYSTAR TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 13 Corporate Drive, HalfMoon, NY 12065 (US) (Tous Sauf US).
TUTTLE, John, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TUTTLE, John, R.; (US)
Mandataire : BLANK, Christopher, E.; Hiscock & Barclay, LLP, 2000 HSBC Plaza, Rochester, NY 14604-2404 (US)
Données relatives à la priorité :
60/626,843 10.11.2004 US
11/271,583 10.11.2005 US
Titre (EN) THERMAL PROCESS FOR CREATION OF AN IN-SITU JUNCTION LAYER IN CIGS
(FR) PROCEDE THERMIQUE PERMETTANT DE CREER UNE COUCHE DE JONCTION IN SITU DANS UN CIGS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates generally to the field of photovoltaics and more specifically to manufacturing thin-film solar cells using a thermal process. Specifically, a method is disclosed to manufacture a CIGS solar cell by an in-situ junction formation process.
(FR)L'invention concerne, de manière générale, le domaine du photovoltaïque et plus particulièrement la production de photopiles à film mince à l'aide d'un procédé thermique. Plus spécifiquement, le procédé consiste à produire une photopile CIGS au moyen d'un procédé de formation de jonction in situ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)