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1. (WO2006052667) CIRCUIT DE COMMANDE ET PROCEDE A DI/DT REDUIT ET COMPENSATION DE RETARD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/052667    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/039818
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 03.11.2005
CIB :
H02H 9/06 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
THIERY, Vincent [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
NADD, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MOURRIER, Andre [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : THIERY, Vincent; (FR).
NADD, Bruno; (FR).
MOURRIER, Andre; (FR)
Mandataire : WEINER, Samuel H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/625,214 05.11.2004 US
11/264,970 02.11.2005 US
Titre (EN) DRIVER CIRCUIT AND METHOD WITH REDUCED DI/DT AND HAVING DELAY COMPENSATION
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE ET PROCEDE A DI/DT REDUIT ET COMPENSATION DE RETARD
Abrégé : front page image
(EN)A method of driving a power transistor switch comprising: receiving a drive input signal; converting the drive input signal into a converted drive input signal; and providing the converted gate drive input signal to a control electrode of the switch to turn on the switch, the converted drive input signal having three regions with respect to time, each having a slope, a first region in time having a first slope up to a Miller Plateau of the switch; a second region in time having a second slope with a reduced slope compared with the first slope; and a third region having a third slope that is greater than the second slope, whereby the control electrode voltage rapidly reaches the Miller Plateau voltage, then more slowly reaches a threshold voltage of the switch and then, when the switch has substantially fully turned on, the control electrode voltage is rapidly increased. The switch delay time is also maintained substantially constant by adjusting the transistor control electrode precharge voltage.
(FR)L'invention concerne un procédé de commande d'un transistor de puissance consistant à recevoir un signal d'entrée de commande ; à convertir le signal d'entrée de commande en un signal d'entrée de commande converti ; et à fournir le signal d'entrée de commande de grille converti à une électrode de commande du commutateur afin d'activer le commutateur. Le signal d'entrée de commande converti comporte trois zones par rapport au temps, présentant chacune une pente : une première région de temps présentant une première pente jusqu'à un plateau de Miller du commutateur ; une deuxième zone de temps présentant une deuxième pente inférieure à la première ; et une troisième zone présentant une troisième pente supérieure à la deuxième. La tension d'électrode de commande atteint rapidement la tension du plateau de Miller, atteint plus doucement une tension de seuil du commutateur, puis augmente rapidement lorsque le commutateur est quasiment activé totalement. La durée de retard de commutateur est maintenue quasi constante par ajustage de la tension de précharge d'électrode de commande de transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)