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1. (WO2006052576) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE TRANCHE ENCAPSULEE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/052576    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/039593
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 02.11.2005
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US) (Tous Sauf US).
SCHAEPKENS, Marc [NL/US]; (US) (US Seulement).
TOGAWA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SCHAEPKENS, Marc; (US).
TOGAWA, Takayuki; (JP)
Mandataire : GNIBUS, Michael; General Electric Company, 3135 Easton Turnpike (W3C), Fairfield, CT 06828 (US)
Données relatives à la priorité :
60/626,714 10.11.2004 US
Titre (EN) ENCAPSULATED WAFER PROCESSING DEVICE AND PROCESS FOR MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE TRANCHE ENCAPSULEE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A wafer processing device for use in semiconductor wafer processing applications as an electrostatic chuck comprises a graphite substrate (1) and at least one electrode pattern (3) , wherein the grooves in the electrode pattern are filled up with insulating material (2) comprising at least one of a nitride, carbide, carbonitride or oxynitride, or combination thereof , of at least one element selected from a group consisting of B, Al, Si, Ga, refractory hard metals, transition metals, and rare earth metals, a combination thereof, forming a first substantially planar surface. This first substantially planar surface is coated with at least a semiconducting layer (4) comprising at least one of a nitride, carbide, carbonitride or oxynitride or combination thereof of at least one element selected from a group consisting of B, A, Si, Ga, refractory hard metals, transition metals, and rare earth metals, or a combination thereof, forming a second substantially planar surface, which is outwardly exposed to support said wafer.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de traitement de tranche utilisé dans des applications de traitement de tranche de semi-conducteur, tel qu'un mandrin électrostatique (ESC) comprenant un substrat en graphite et au moins un motif d'électrode, les rainures présentes dans le motif d'électrode étant remplies de matériau isolant ou semi-conducteur sélectionné dans un groupe comprenant B, Al, Si, Ga, des métaux durs réfractaires, des métaux de transition et des métaux des terres rares, ou des complexes et/ou des combinaisons de ceux-ci, formant une surface substantiellement plane. La surface substantiellement plane est ensuite recouverte d'au moins une couche semi-conductrice comprenant un nitrure et/ou un carbure et/ou un carbonitrure et/ou un oxynitrure d'éléments sélectionnés dans un groupe comprenant B, Al, Si, Ga, des métaux durs réfractaires, des métaux de transition et des métaux des terres rares, ou des complexes et/ou des combinaisons de ceux-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)