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1. (WO2006052549) SYSTEMES A FAISCEAUX ELECTRONIQUES SUB-NANOMETRIQUES INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/052549    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/039501
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 01.11.2005
CIB :
G21K 1/08 (2006.01)
Déposants : BIOMED SOLUTIONS, LLC [US/US]; 150 Lucius Gordon Drive, Suite 215, West Henrietta, NY 14586 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : SCHNEIKER, Conrad, W.; (US)
Mandataire : SLIFKIN, Neal; Harris Beach PLLC, 99 Garnsey Road, Pittsford, NY 14534 (US)
Données relatives à la priorité :
10/983,566 08.11.2004 US
Titre (EN) INTEGRATED SUB-NANOMETER-SCALE ELECTRON BEAM SYSTEMS
(FR) SYSTEMES A FAISCEAUX ELECTRONIQUES SUB-NANOMETRIQUES INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A solid state sub-nanometer-scale electron beam emitter comprising a multi-layered structure having a nano-tip electron emitter and tunnel emission junction formed on substrate, an initial electron beam extraction electrode, a “nano-sandwich Einzel” electrode, and a topmost protective layer.
(FR)L'invention concerne un émetteur de faisceau électronique sub-nanométrique à semi-conducteurs comprenant une structure multicouche possédant un émetteur d'électrons à nanopointe et une jonction d'émission tunnel formée sur un substrat, une électrode d'extraction de faisceau électronique initial, une électrode 'nano-sandwich Einzel' et une couche protectrice supérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)