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1. (WO2006052394) PLACAGE AUTOCATALYTIQUE DE CAPUCHONS DE MÉTAL POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À BASE DE CHALCOGÉNURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/052394    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/037310
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 18.10.2005
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83706-9632 (US) (Tous Sauf US).
ELKINS, Patricia, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOORE, John, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
KLEIN, Rita, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ELKINS, Patricia, C.; (US).
MOORE, John, T.; (US).
KLEIN, Rita, J.; (US)
Mandataire : HAGAN, Timothy, W.; Dinsmore & Shohl LLP, One Dayton Centre - Suite 1300, One South Main Street, Dayton, OH 45402-2023 (US)
Données relatives à la priorité :
10/980,658 03.11.2004 US
Titre (EN) ELECTROLESS PLATING OF METAL CAPS FOR CHALCOGENIDE-BASED MEMORY DEVICES
(FR) PLACAGE AUTOCATALYTIQUE DE CAPUCHONS DE MÉTAL POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À BASE DE CHALCOGÉNURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a metal cap over a conductive interconnect in a chalcogenide-based memory device is provided and includes, forming a layer of a first conductive material (21) over a substrate (10), depositing an insulating layer (20) over the first conductive material and the substrate, forming an opening (22) in the insulating layer to expose at least a portion of the first conductive material, depositing a second conductive material (30) over the insulating layer and within the opening, removing portions of the second conductive material to form a conductive area within the opening, recessing the conductive area within the opening to a level below an upper surface of the insulating layer, forming a cap (40) of a third conductive material over the recessed conductive area within the opening, the third conductive material selected from the group consisting of cobalt, silver, gold, copper, nickel, palladium,platinum,and alloys thereof, depositing a stack of a chalcogenide based memory cell material (50) over the cap, and depositing a conductive material (60) over the chalcogenide stack.
(FR)L’invention concerne un procédé de formation d’un capuchon de métal sur un matériau d’interconnexion conducteur dans un dispositif de mémoire à base de chalcogénure qui consiste à former une couche d’un premier matériau conducteur (21) sur un substrat (10), à déposer une couche isolante (20) sur le premier matériau conducteur et le substrat, à constituer une ouverture (22) dans la couche isolante pour exposer au moins une portion du premier matériau conducteur, à déposer un second matériau conducteur (30) sur la couche isolante et dans l’ouverture, à enlever des portions du second matériau conducteur pour constituer une zone conductrice dans l’ouverture, à former la zone conductrice en retrait dans l’ouverture jusqu’à un niveau situé sous une surface supérieure de la couche isolante, à élaborer un capuchon (40) dans un troisième matériau conducteur sur la zone conductrice en retrait dans l’ouverture, le troisième matériau conducteur étant sélectionné parmi le groupe consistant en cobalt, en argent, en or, en cuivre, en nickel, en palladium, en platine et en alliages de ceux-ci, à déposer une pile d’un matériau cellulaire de mémoire à base de chalcogénure (50) sur le capuchon et à déposer un matériau conducteur (60) sur la pile de chalcogénure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)