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1. (WO2006052068) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/052068    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/003702
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 04.11.2005
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/30 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD [KR/KR]; 14th F1. Hansol Bldg., 736-1, Yoksam-dong, Kangnam-Gu, Seoul 135-983 (KR) (Tous Sauf US).
YANG, Seung, Huyn [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YANG, Seung, Huyn; (KR)
Mandataire : HAW, Yong, Noke; 8th F1. Songchon Bldg., 642-15, Yoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0092097 11.11.2004 KR
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting device including: a first nitride semiconductor layer; an active layer formed on the first nitride semiconductor layer and including at least one barrier layer grown under hydrogen atmosphere of a high temperature; and a second nitride semi conductor layer formed on the active layer, and a method of fabricating the same are provided. According to the light emitting device and method of fabricating the same, the light power of the light emitting device is increased and the operation reliability is enhanced.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent semiconducteur de nitrure comprenant: une première couche semiconductrice de nitrure; une couche active formée sur la première couche semiconductrice de nitrure et au moins une couche barrière développée dans une atmosphère d'hydrogène à une température élevée; et une seconde couche semiconductrice de nitrure formée sur la couche active, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif. Selon le dispositif électroluminescent et le procédé de fabrication correspondant, la puissance lumineuse du dispositif électroluminescent est augmentée et la fiabilité de fonctionnement améliorée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)