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1. (WO2006051995) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP UTILISANT UN OXYDE AMORPHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/051995    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020982
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 09.11.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.09.2006    
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 1528550 (JP) (Tous Sauf US).
SANO, Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAGAWA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOSONO, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYA, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOMURA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SANO, Masafumi; (JP).
NAKAGAWA, Katsumi; (JP).
HOSONO, Hideo; (JP).
KAMIYA, Toshio; (JP).
NOMURA, Kenji; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-326683 10.11.2004 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR EMPLOYING AN AMORPHOUS OXIDE
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP UTILISANT UN OXYDE AMORPHE
Abrégé : front page image
(EN)A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1 ˜10-18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.
(FR)L'invention concerne un nouveau transistor à effet de champ utilisant un oxyde amorphe. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un transistor comprenant une couche d'oxyde amorphe qui contient un porteur d'électrons à une concentration inférieure à 1x10-18/cm3, et une couche d'isolation de grille composée d'une première couche en contact avec l'oxyde amorphe et d'une seconde couche différente de la première.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)