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1. (WO2006051874) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/051874    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020639
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 10.11.2005
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome Minato-ku, Tokyo 108-0014 (JP) (Tous Sauf US).
ARAMAKI, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIYAMA, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNO, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI., Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAMAKI, Shinji; (JP).
YOSHIYAMA, Ryuichi; (JP).
OHNO, Akira; (JP).
SAKAI., Yoshimasa; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg. 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-327627 11.11.2004 JP
2005-089935 25.03.2005 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor having less characteristic change due to driving by providing an organic semiconductor part and improving driving stability of the organic semiconductor part. The field effect transistor including a gate insulating part, the organic semiconductor part, a source electrode and a drain electrode is characterized in that a threshold voltage change is within 5V when a voltage which makes a field intensity in a gate insulating part 100±5MV/m at 70°C is applied to the gate for 5.0±0.1 hours.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ présentant un changement moins caractéristique dû à la commande en fournissant une partie à semi-conducteur organique et en améliorant la stabilité de commande de la partie à semi-conducteur organique. Le transistor à effet de champ comprenant une partie d'isolation de grille, la partie à semi-conducteur organique, une électrode source et une électrode drain, est caractérisé en ce qu'un changement de tension seuil se trouve dans les 5 V lorsqu'une tension qui provoque une intensité de champ dans une partie d'isolation de grille de 100 ± 5 MV/m à 70 °C est appliquée à la grille pendant 5,0 ± 0,1 h.
(JA) 有機半導体部を有し、且つ該有機半導体部の駆動安定性を高くすることにより、駆動による特性変化の小さな電界効果トランジスタを提供する。  ゲート絶縁部、有機半導体部、並びにソース電極及びドレイン電極とを含有する電界効果トランジスタであって、70°Cでゲート絶縁部中の電界強度が100±5MV/mになるような電圧をゲートに5.0±0.1時間印加したときの、スレショルド電圧の変化が5V以内であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)