WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006051610) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN CRISTAL DE TANTALATE DE LITHIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/051610    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/016924
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 15.11.2004
CIB :
C01G 35/00 (2006.01), C30B 29/30 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/39 (2013.01), H03H 3/08 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
Akiyama, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Shiono, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : Akiyama, Shoji; (JP).
Shiono, Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : KOJIMA, Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg.2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING LITHIUM TANTALATE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN CRISTAL DE TANTALATE DE LITHIUM
(JA) タンタル酸リチウム結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a lithium tantalate crystal having improved conductivity which is characterized in that a lithium tantalate crystal to be processed is arranged close to but not in contact with a material which has been reduced at a temperature (T1) and then the lithium tantalate crystal is exposed to a reducing atmosphere at a temperature (T2) which is lower than the temperature (T1).
(FR)L’invention décrit un procédé de production d’un cristal de tantalate de lithium de conductivité améliorée. Ledit procédé consiste à placer un cristal de tantalate de lithium à traiter près d'un matériau ayant été réduit à une température (T1), mais sans toucher celui-ci, puis à exposer le cristal de tantalate de lithium à une atmosphère réductrice à une température (T2) inférieure à la température (T1).
(JA) 温度T1で還元処理された物質に処理すべきタンタル酸リチウム結晶を非接触状態で近接配置し、このタンタル酸リチウム結晶を上記温度T1より低い温度T2で還元雰囲気中にさらすことを特徴とする導電率が増加したタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)