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1. (WO2006050632) REACTEUR A PLASMA RF A COUPLAGE CAPACITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/050632    N° de la demande internationale :    PCT/CH2005/000669
Date de publication : 18.05.2006 Date de dépôt international : 11.11.2005
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : OC OERLIKON BALZERS AG [LI/LI]; FL-9496 Balzers (LI) (Tous Sauf US).
BELINGER, Andy [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : BELINGER, Andy; (CH)
Représentant
commun :
OC OERLIKON BALZERS AG; Patent Department SRLP, P.O. Box 1000, FL-9496 Balzers (LI)
Données relatives à la priorité :
60/627,784 12.11.2004 US
Titre (EN) IMPEDANCE MATCHING OF A CAPACITIVELY COUPLED RF PLASMA REACTOR SUITABLE FOR LARGE AREA SUBSTRATES
(FR) REACTEUR A PLASMA RF A COUPLAGE CAPACITIF
Abrégé : front page image
(EN)An RF plasma reactor (40) is provided for depositing semi-conductive layers on to very large glass areas. The RF plasma reactor includes a vacuum chamber (18), a reactor chamber (24), RF power supply (12), a matching network (14), first (22) and second (20) metallic plates located inside the vacuum chamber and a plasma-discharge region (30) defined between the first and second metallic plates. The RF plasma reactor further includes a feed line (26) and an impedance-transformation circuit (42) both of which are electrically connected to the first metallic plate. The impedance-transformation circuit further includes a blocking-tuneable capacitor (Car) that transforms an impedance of the reactor.
(FR)L'invention concerne un réacteur à plasma RF destiné à déposer des couches semiconductrices sur des zones de verre de grande taille. Le réacteur à plasma RF comporte une chambre à vide, une chambre de réaction, une alimentation électrique RF, un réseau d'adaptation, une première et une deuxième plaque métallique disposées à l'intérieur de la chambre à vide, et une zone de décharge à plasma définie entre la première et la deuxième plaque métallique. Le réacteur à plasma RF comporte par ailleurs une ligne d'alimentation et un circuit de transformation d'impédance tous deux connectés électriquement à la première plaque métallique. Le circuit de transformation d'impédance comporte par ailleurs un condensateur de blocage syntonisable transformant une impédance du réacteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)