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1. (WO2006049595) RÉCUPÉRATION DU CARACTÈRE HYDROPHOBE DE FILMS D'ORGANOSILICATES AYANT UNE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE FAIBLE OU TRÈS FAIBLE UTILISÉS COMME DIÉLECTRIQUES ENTRE DES MÉTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049595    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/035685
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 27.10.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.2006    
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armond, NY 10504 (US)
Inventeurs : CHAKRAPANI, Nirupama; (US).
COLBURN, Matthew, E.; (US).
DIMITRAKOPOULOS, Christos, D.; (US).
NITTA, Satyanarayana, V.; (US).
PFEIFFER, Dirk; (US).
PURUSHOTHAMAN, Sampath; (US)
Mandataire : AKER, David; 23 Southern Road, Hartsdale, NY 10530 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RECOVERY OF HYDROPHOBICITY OF LOW-K AND ULTRA LOW-K ORGANOSILICATE FILMS USED AS INTER METAL DIELECTRICS
(FR) RÉCUPÉRATION DU CARACTÈRE HYDROPHOBE DE FILMS D'ORGANOSILICATES AYANT UNE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE FAIBLE OU TRÈS FAIBLE UTILISÉS COMME DIÉLECTRIQUES ENTRE DES MÉTAUX
Abrégé : front page image
(EN)Often used to reduce the RC delay in integrated circuits are dielectric films of porous organosilicates which have a silica like backbone with alkyl or aryl groups (to add hydrophobicity to the materials and create free volume) attached directly to the S:L atoms in the network. Si-R bonds rarely survive an exposure to plasmas or chemical treatments commonly used in processing; this is especially the case in materials with an open cell pore structure. When Si-R bonds are broken, the materials lose hydrophobicity, due to formation of hydrophilic silanols and low dielectric constant is compromised. A method by which the hydrophobicity of the materials is recovered using a novel class of silylation agents which may have the general formula (R2N)xSiR'y where X and Y are integers from 1 to 3 and 3 to I respectively, and where R and R' are selected from the group of hydrogen, alkyl, aryl, allyl and a vinyl moiety. Mechanical strength of porous organosilicates is also improved as a result of the silylation treatment.
(FR)On utilise souvent pour réduire le temps mort des RC dans des circuits intégrés des films diélectriques d'organosilicates poreux qui ont un squelette ressemblant à la silice avec des groupes alkyles ou aryles (pour ajouter un caractère hydrophobe aux matériaux et créer du volume libre) attachés directement aux atomes Si dans le réseau. Les liaisons Si-R survivent rarement à une exposition à des plasmas ou à des traitements chimiques communément utilisés lors du traitement ; c'est en particulier le cas dans des matériaux ayant une structure de pores à alvéoles ouvertes. Lorsque les liaisons Si-R sont cassées, les matériaux perdent le caractère hydrophobe, à cause de la formation de silanols hydrophiles et une faible constante diélectrique est compromise. L'invention concerne un procédé grâce auquel le caractère hydrophobe des matériaux est récupéré en utilisant un nouvelle classe d'agents de silylation qui peuvent avoir la formule générale (R2N)xSiR'y où x et y sont des nombres entiers allant de 1 à 3 et de 3 à 1 respectivement et où R et R' sont sélectionnés dans le groupe constitué de l'hydrogène et d'entités alkyles, aryles, allyle et vinyle. La résistance mécanique des organosilicates poreux est également améliorée en conséquence du traitement de silylation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)