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1. (WO2006049288) TRANSISTOR ORGANIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049288    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/020399
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 01.11.2005
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
WADA, Takatsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOKUNAGA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANOME, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HANADA, Mika [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIDA, Takehito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WADA, Takatsugu; (JP).
TOKUNAGA, Hiroyuki; (JP).
KANOME, Osamu; (JP).
HANADA, Mika; (JP).
NISHIDA, Takehito; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-319737 02.11.2004 JP
Titre (EN) ORGANIC TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)There is provided an organic transistor having a bottom gate structure, composed of a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, source and drain electrodes and an organic semiconductor layer, wherein the gate insulating layer is formed so as to have a low surface energy in a portion thereof in proximity to the source and drain electrodes and a relatively high surface energy in a portion in proximity to the gate electrode, and consist of different compositions in a layer thickness direction, whereby an organic transistor has a short channel and high electric characteristics; as well as a method of manufacturing the organic semiconductor.
(FR)L’invention concerne un transistor organique ayant une structure de grille inférieure, composé d’un substrat, d’une électrode grille, d’une couche d’isolation de grille, d’électrodes de source et de drain et d’une couche à semi-conducteur organique, selon lequel la couche d’isolation de grille est formée de façon à ce qui permet d'obtenir avoir une énergie de surface faible dans une partie de celle-ci à proximité des électrodes de source et de drain et une énergie de surface relativement élevée dans une partie à proximité de l’électrode grille, et consiste en des compositions différentes dans une direction d’épaisseur de couche, de façon à ce qui permet d'obtenir un transistor organique avec un canal court et des caractéristiques électriques élevées. L'invention concerne également un procédé de fabrication du semi-conducteur organique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)